窄帶檢測方法精確表征RF防止電流MOSFET體二極管回流
發(fā)布時間:2022/7/29 18:48:31 訪問次數(shù):55
在限制負載浪涌電流的預(yù)充電電路設(shè)計中,Vishay / Sfernice的D2TO20SMD功率電阻是一顆很關(guān)鍵的元件,由于獨特的物理結(jié)構(gòu)和集成散熱片,該厚膜電阻提供了優(yōu)秀的功率處理和熱傳導(dǎo)特性。
D2TO20 SMD功率電阻采用TO-263(D2PAK)封裝的表面貼裝非電感性功率電阻,外形緊湊,具有0.01Ω至550Ω的電阻值范圍,在25°C時功率為20W.該產(chǎn)品符合AEC-Q200標準,對汽車應(yīng)用再合適不過了。
XMC7K24CA XClampR™TVS二極管,Vishay 48V自恢復(fù)電子保險絲方案在瞬態(tài)電壓抑制功能方面,Vishay General Semiconductor的XMC7K24CA XClampR™TVS二極管扮演著重要的角色。
如果不斷增加通過RF器件的信號的功率水平,通常會導(dǎo)致更明顯的非線性效應(yīng)。這些效應(yīng)可以利用另一種類型的散射參數(shù)——即大信號S參數(shù)來量化。
但是,許多RF器件被設(shè)計為使用脈沖信號工作,這些信號具有寬頻域響應(yīng)。這使得利用標準窄帶檢測方法精確表征RF器件具有挑戰(zhàn)性。因此,對于脈沖模式下的器件表征,通常使用所謂的脈沖S參數(shù)。這些散射參數(shù)是通過特殊的脈沖響應(yīng)測量技術(shù)獲得的。
在開關(guān)啟動的過程中,還經(jīng)常會遇到一種情況——第一次將電池連接到負載時,由于負載中存在未充電的電容器組,可能會產(chǎn)生高峰浪涌電流。這可能會造成下級元件的損壞,也會影響電池的使用壽命,因此,必須使用預(yù)充電電路將浪涌電流限制在一個可接受的水平。
Vishay的SQJA84E MOSFET(TR1)、VSS8D5M6肖特基二極管和D2TO20 SMD功率電阻(R1)將浪涌電流在48V時的最大值限制在5A。
在限制負載浪涌電流的預(yù)充電電路設(shè)計中,Vishay / Sfernice的D2TO20SMD功率電阻是一顆很關(guān)鍵的元件,由于獨特的物理結(jié)構(gòu)和集成散熱片,該厚膜電阻提供了優(yōu)秀的功率處理和熱傳導(dǎo)特性。
D2TO20 SMD功率電阻采用TO-263(D2PAK)封裝的表面貼裝非電感性功率電阻,外形緊湊,具有0.01Ω至550Ω的電阻值范圍,在25°C時功率為20W.該產(chǎn)品符合AEC-Q200標準,對汽車應(yīng)用再合適不過了。
XMC7K24CA XClampR™TVS二極管,Vishay 48V自恢復(fù)電子保險絲方案在瞬態(tài)電壓抑制功能方面,Vishay General Semiconductor的XMC7K24CA XClampR™TVS二極管扮演著重要的角色。
如果不斷增加通過RF器件的信號的功率水平,通常會導(dǎo)致更明顯的非線性效應(yīng)。這些效應(yīng)可以利用另一種類型的散射參數(shù)——即大信號S參數(shù)來量化。
但是,許多RF器件被設(shè)計為使用脈沖信號工作,這些信號具有寬頻域響應(yīng)。這使得利用標準窄帶檢測方法精確表征RF器件具有挑戰(zhàn)性。因此,對于脈沖模式下的器件表征,通常使用所謂的脈沖S參數(shù)。這些散射參數(shù)是通過特殊的脈沖響應(yīng)測量技術(shù)獲得的。
在開關(guān)啟動的過程中,還經(jīng)常會遇到一種情況——第一次將電池連接到負載時,由于負載中存在未充電的電容器組,可能會產(chǎn)生高峰浪涌電流。這可能會造成下級元件的損壞,也會影響電池的使用壽命,因此,必須使用預(yù)充電電路將浪涌電流限制在一個可接受的水平。
Vishay的SQJA84E MOSFET(TR1)、VSS8D5M6肖特基二極管和D2TO20 SMD功率電阻(R1)將浪涌電流在48V時的最大值限制在5A。
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