SiC的功率開關(guān)本身在功率密度和效率方面具有優(yōu)勢，這對于系統(tǒng)散熱和減小器件尺寸都有重要意義。

在SiC環(huán)境中，dv/dt將超過10V/ns，這意味著開關(guān)800 V直流電壓的時間不會超過80ns。同樣，di/dt為10A/ns時，意味著在80ns內(nèi)電流為800A，從中可以觀察到di/dt的變化。

事實上，SiC開關(guān)的所有固有優(yōu)勢都會被共模噪聲干擾，以及被管理不善的功率開關(guān)環(huán)境中的超快電壓和電流瞬變（dv/dt和di/dt）導(dǎo)致的極高和破壞性的電壓過沖影響。一般來說，拋開底層技術(shù)不談，SiC開關(guān)的功能相對簡單，它只是一個3端器件，但必須小心連接至系統(tǒng)。

這是模擬的完整電路，包括高通和低通濾波器，針對上述結(jié)果構(gòu)建和測試：

完整的TIA電路包括一個帶通濾波器，有助于降低其對身體運動和快速環(huán)境光變化的敏感度。如圖所示，電路的響應(yīng)從48bpm到390bpm為-3dB。

因此，與密度相近的競品FPGA如Spartan7或者是Max10相比，都具有較大的優(yōu)勢，其中與Max10相比，MachXO5-NX提供高達2.9倍的嵌入式存儲器容量，以及高達36倍的專用用戶閃存，能輕松應(yīng)對設(shè)計復(fù)雜化的趨勢。