電壓駐波比和低電源電壓DRC-MF v3數(shù)碼精密現(xiàn)象技術(shù)
發(fā)布時間:2022/8/1 7:16:47 訪問次數(shù):253
AX508將較低的射頻信號放大到所要求的高功率級別,以滿足信號在GSM/GPRS手機或數(shù)據(jù)模塊上的傳輸,該器件支持四頻段(GSM850/900/1800/1900)操作。
功率級別是通過一個完全集成的閉環(huán)功率控制器來調(diào)節(jié)的,滿足大規(guī)模生產(chǎn)的手機處于現(xiàn)實世界的環(huán)境中時,例如大幅度提高的電壓駐波比和低電源電壓時,仍可確保GSM功率/時間罩和開關(guān)頻譜得到足夠的容限。
42PFL9803H的外觀延續(xù)了其一貫的風(fēng)格,超窄邊框,超薄機身,玻璃外殼,總體看來時尚而簡約。
索尼55X4500除延續(xù)了V系列的一系列先進技術(shù)外,還加入了索尼最新的兩大技術(shù),Motionflow 200Hz四倍速驅(qū)動技術(shù)和動態(tài)麗彩LED背光源系統(tǒng)。使用了BRAVIA ENGINE2 PRO圖像處理引擎,包含新的DRC-MF v3數(shù)碼精密現(xiàn)象技術(shù)。
動態(tài)麗彩LED背光源系統(tǒng)擴大了色彩還原性和超高對比度。減少漏光,豐富黑色表現(xiàn)力。而索尼Motionflow 200Hz四倍速技術(shù)根據(jù)原有畫面前后兩幀,史無前例地在原始畫面中插入三幀運算幀,比100Hz倍速處理畫面更新速度更提高了一倍,達到四倍速處理。
接口方面,索尼55X4500的配置十分齊全,除了一些日常的接口之外,該機還額外多配了幾個HDMI接口,彰顯其高端本色。
20Vn通道器件---SiR440DP,擴展了其第三代TrenchFET®功率MOSFET系列。該器件采用PowerPAK®SO-8封裝,在20V額定電壓時具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
SiR440DP在4.5V柵極驅(qū)動時最大導(dǎo)通電阻為2.0mΩ,在10V柵極驅(qū)動時最大導(dǎo)通電阻為1.55mΩ。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵優(yōu)值(FOM),在4.5V時為87。
與為實現(xiàn)低傳導(dǎo)損耗及低切換損耗而優(yōu)化的最接近的同類競爭器件相比,這些規(guī)格表示在4.5V及10V時導(dǎo)通電阻分別降低23%與22.5%,F(xiàn)OM降低27%。更低的導(dǎo)通電阻及柵極電荷意味著更低的傳導(dǎo)損耗及切換損耗。
AX508將較低的射頻信號放大到所要求的高功率級別,以滿足信號在GSM/GPRS手機或數(shù)據(jù)模塊上的傳輸,該器件支持四頻段(GSM850/900/1800/1900)操作。
功率級別是通過一個完全集成的閉環(huán)功率控制器來調(diào)節(jié)的,滿足大規(guī)模生產(chǎn)的手機處于現(xiàn)實世界的環(huán)境中時,例如大幅度提高的電壓駐波比和低電源電壓時,仍可確保GSM功率/時間罩和開關(guān)頻譜得到足夠的容限。
42PFL9803H的外觀延續(xù)了其一貫的風(fēng)格,超窄邊框,超薄機身,玻璃外殼,總體看來時尚而簡約。
索尼55X4500除延續(xù)了V系列的一系列先進技術(shù)外,還加入了索尼最新的兩大技術(shù),Motionflow 200Hz四倍速驅(qū)動技術(shù)和動態(tài)麗彩LED背光源系統(tǒng)。使用了BRAVIA ENGINE2 PRO圖像處理引擎,包含新的DRC-MF v3數(shù)碼精密現(xiàn)象技術(shù)。
動態(tài)麗彩LED背光源系統(tǒng)擴大了色彩還原性和超高對比度。減少漏光,豐富黑色表現(xiàn)力。而索尼Motionflow 200Hz四倍速技術(shù)根據(jù)原有畫面前后兩幀,史無前例地在原始畫面中插入三幀運算幀,比100Hz倍速處理畫面更新速度更提高了一倍,達到四倍速處理。
接口方面,索尼55X4500的配置十分齊全,除了一些日常的接口之外,該機還額外多配了幾個HDMI接口,彰顯其高端本色。
20Vn通道器件---SiR440DP,擴展了其第三代TrenchFET®功率MOSFET系列。該器件采用PowerPAK®SO-8封裝,在20V額定電壓時具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
SiR440DP在4.5V柵極驅(qū)動時最大導(dǎo)通電阻為2.0mΩ,在10V柵極驅(qū)動時最大導(dǎo)通電阻為1.55mΩ。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵優(yōu)值(FOM),在4.5V時為87。
與為實現(xiàn)低傳導(dǎo)損耗及低切換損耗而優(yōu)化的最接近的同類競爭器件相比,這些規(guī)格表示在4.5V及10V時導(dǎo)通電阻分別降低23%與22.5%,F(xiàn)OM降低27%。更低的導(dǎo)通電阻及柵極電荷意味著更低的傳導(dǎo)損耗及切換損耗。
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