不間斷電源系統(tǒng)支持QLC和ZNS SSD應(yīng)用導(dǎo)向解決方案
發(fā)布時間:2022/8/1 17:40:41 訪問次數(shù):212
大型電池、電池管理系統(tǒng)、電池控制和通信以及逆變器/變壓器。每個構(gòu)件模塊的優(yōu)化設(shè)計對于BESS的整體效率和可靠性都很重要,但這還不夠。每個模塊必須相互連接,以承受惡劣的條件并確保性能最佳。為此,設(shè)計人員必須混用并匹配各類連接器,以獲得最具成本效益和最可靠的解決方案。
構(gòu)成商用BESS的模塊需要采用特定連接器解決方案,以實現(xiàn)整個系統(tǒng)的高效可靠運行。
許多設(shè)施需要根據(jù)高峰用電量支付需量電費。使用BESS可降低高峰能耗,能源總支出可減少多達70%1。可以使用軟件算法來分析能耗模式,并與分時電價進行比較,從而確定在用電成本最高的時段釋出BESS電力的最佳時間。停電的代價可能很高昂,而有了BESS 的話,就無需使用單獨的不間斷電源系統(tǒng)(UPS),或者可以使用更小型、更便宜的UPS。
日產(chǎn)場效應(yīng)晶體管的命名方式,與三極管一樣,場效應(yīng)晶體管也有三個電極,分別是柵極G、源極s和漏極D。場效應(yīng)晶體管的引腳排列位置根據(jù)品種、型號及功能的不同而不同,識別場效應(yīng)晶體管的引腳極性在測試、安裝、調(diào)試等各個應(yīng)用場合都十分重要。
根據(jù)型號標識查閱引腳功能,一股場效應(yīng)晶體管的引腳識別主要是根據(jù)型號信息查閱相關(guān)資料。首先識別出場效應(yīng)晶體管的型號,然后查閱半導(dǎo)體手冊或在互聯(lián)網(wǎng)上搜索該型號場效應(yīng)晶體管的引腳排列。
根據(jù)一般排列規(guī)律識別,對于大功率場效應(yīng)晶體管,一般情況下,將印有型號標識的一面朝上放置,從左至右,引腳排列基本為G、D、S極(散熱片接D極);采用貼片封裝的場效應(yīng)晶體管,典型口產(chǎn)場效應(yīng)晶體管的外形及標識識讀方法.

NANDCommand為QLC和更新世代的NAND提供優(yōu)異的LDPC錯誤糾正和更佳的耐用度,大幅提升下一代NAND的企業(yè)級效能。
MonTitan SSD解決方案平臺提供了有趣的開發(fā)工具,其分層固件堆棧和高度靈活的架構(gòu),能支持QLC和ZNS SSD等應(yīng)用導(dǎo)向解決方案。阿里巴巴很有興趣進一步評估這些解決方案。
PCIe 5.0、OCP數(shù)據(jù)中心NVMe SSD規(guī)范和E1.S等下一代技術(shù)有超大規(guī)模的需求,以實現(xiàn)更高的效能、散熱和管理。MonTitan平臺支持PCIe 5.0、OCP數(shù)據(jù)中心NVMe 2.0 SSD規(guī)范和E1.S,可滿足下一代超大規(guī)模需求。
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