65nm 3V 512Mb及1Gb高容量MirrorBit®NOR解決方案現(xiàn)已在旗艦級300mm SP1晶圓廠,MirrorBit NOR GL產(chǎn)品系列是用于可靠的代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲的領先解決方案之一，可用于廣泛的高容量消費類及工業(yè)應用領域，包括汽車導航系統(tǒng)、通訊基礎設施設備、游戲及工業(yè)控制等。

65nm MirrorBit NOR GL器件為無縫過渡到定于下一代管腳兼容型65nm MirrorBit Eclipse GL 3V產(chǎn)品鋪平了道路。

MirrorBit Eclipse架構集NOR和NAND兩種技術特色于一身，在同一枚裸片上打造出強大的功能。

BESS模塊選擇電池時需要考慮其化學特性，以支持所界定的儲能和電力輸送需求、電池的封裝方式以及電池機架等系統(tǒng)集成結構。

電池管理系統(tǒng)(BMS)確保以最佳速度充電和放電，監(jiān)控溫度，并估算電池的即時就緒狀態(tài)（充電狀態(tài)）和預期的長期可靠性（健康狀態(tài)）。

電池控制和通信功能可報告運行狀態(tài)并支持遠程控制。

逆變器/變壓器將直流(DC)電池電力轉換為交流(AC)電力，并將BESS連接到電網(wǎng)。

在連接這些BESS模塊時，關鍵性能因素包括：

高功率和信號密度

易于現(xiàn)場安裝

在惡劣和苛刻環(huán)境下的高可靠性

雙端口企業(yè)和數(shù)據(jù)中心PCIe Gen5 x4 NVMe主控芯片，具有16個NAND通道，最高支持2400MT/s。

SM8366 提供業(yè)界領先的超快順序(>14GB/s)和隨機(>3.0M IOPS)讀寫性能，并包含一個可擴展的單/雙通道40位DDR4-3200/DDR5-4800 DRAM接口。采用MonTitan平臺的高性能SM8366釋放了曾經(jīng)受限于傳統(tǒng)存儲架構的潛力，提供靈活、高完整性的解決方案，以實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心SSD設計的新標準。

為了應對數(shù)據(jù)中心的新挑戰(zhàn)，需要改變存儲平臺和運營模式，SSD存儲解決方案因此不斷演進。我們的MonTitan SSD解決方案是創(chuàng)新的PCIe Gen5 SSD平臺，旨在滿足當今數(shù)據(jù)中心的獨特需求，同時提供靈活性和可編程性以滿足未來標準的要求。