雙向開關(guān)，它采用一個(gè)能夠?qū)崿F(xiàn)雙向電壓控制和雙向電流流動(dòng)的單一器件來(lái)取代兩個(gè)FET或兩個(gè)IGBT+兩個(gè)二極管的方法。FQS使用兩個(gè)柵極來(lái)阻斷任何極性的電壓或通過(guò)任何方向的電流。而且，作為單一器件，F(xiàn)QS能減少實(shí)現(xiàn)預(yù)期效果所需的部件數(shù)量，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，提高可靠性，并降低整體系統(tǒng)成本。

氮化鎵的雙向開關(guān)距離商業(yè)化量產(chǎn)越來(lái)越近，非常令人激動(dòng)。電力電子工程師們一直焦急地期待著MOS柵極雙向開關(guān)產(chǎn)品上市，因?yàn)樗鼈兪菍?shí)現(xiàn)具有廣闊前景的電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的關(guān)鍵器件，可以在提高許多應(yīng)用的效率、功率密度和容錯(cuò)能力方面帶來(lái)令人振奮的機(jī)會(huì)。

它們還有望極大提高多種新型產(chǎn)品的商業(yè)可行性，包括固態(tài)斷路器和集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，與目前使用的硅基開關(guān)相比，F(xiàn)QS可使這些產(chǎn)品更加緊湊和高效。

此項(xiàng)目預(yù)計(jì)將在一年內(nèi)完成。Transphorm的標(biāo)準(zhǔn)橫向氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(FET)器件本身即可提供雙向電流。然而，某些應(yīng)用（如電機(jī)驅(qū)動(dòng)的電流源逆變器、變頻器和矩陣轉(zhuǎn)換器）還需要雙向電壓控制，以有效管理電力系統(tǒng)的功率流。

兩個(gè)輸入端的電位相等，這樣可以將兩個(gè)輸入端看作短接在一起，但事實(shí)上并沒有短接，稱為“虛短”。虛短的必要條件是運(yùn)放引入深度負(fù)反饋。

由于運(yùn)放的電壓放大倍數(shù)很大，一般通用型運(yùn)算放大器的開環(huán)電壓放大倍數(shù)都在80 dB以上。而運(yùn)放的輸出電壓是有限的，一般在10V～14V。因此運(yùn)放的差模輸入電壓不足1 mV，兩輸入端近似等電位，相當(dāng)于 “短路”。開環(huán)電壓放大倍數(shù)越大，兩輸入端的電位越接近相等。

Inpria的PR是一種基于金屬氧化物的無(wú)機(jī)材料�，F(xiàn)有的有機(jī)PR是通過(guò)化學(xué)物質(zhì)與光發(fā)生反應(yīng)來(lái)雕刻圖案，而無(wú)機(jī)PR是錫系金屬顆粒與光接觸形成電路。在一個(gè)簡(jiǎn)單的比較中，液體和固體本質(zhì)上更堅(jiān)硬。

因此，無(wú)機(jī)PR的光吸收率是有機(jī)PR的4 倍。如果光吸收好，則有利于雕刻微電路圖案。因此，被評(píng)價(jià)為適用于下一代曝光技術(shù)EUV。