868~870MHz半雙工低數(shù)據(jù)速率通信在低數(shù)據(jù)速率通信系統(tǒng)
發(fā)布時(shí)間:2022/9/9 13:25:38 訪問次數(shù):259
835處理器的關(guān)鍵組成部分包括:集成的X16 LTE調(diào)制解調(diào)器,支持千兆級(jí)LTE連接;集成的2x2 802.11ac Wave 2 Wi-Fi和Bluetooth 5;支持多千兆比特連接。
通過全新的Qualcomm Kryo 280 CPU和Qualcomm Hexagon 682 DSP實(shí)現(xiàn)了處理能力和性能的提升,其中Qualcomm Hexagon 682 DSP支持面向機(jī)器學(xué)習(xí)的TensorFlow和面向圖像處理的Halide。
驍龍835還大幅增強(qiáng)了Qualcomm Adreno視覺處理子系統(tǒng),包括全新的Adreno 540 GPU和面向下一代拍照功能的Qualcomm Spectra 180 ISP。還包括Qualcomm Haven安全平臺(tái),提升生物識(shí)別與終端認(rèn)證的安全性。
主要技術(shù)特點(diǎn)如下:
工作頻率為868~870 MHz;
FSK/ASK接收靈敏度為-109 dBm;
發(fā)射功率為 13 dBm;
FSK/ASK調(diào)制/解調(diào);
數(shù)據(jù)傳輸速率為100 Kb/s;
電源電壓為2.1~5 V;
I2C/3線總線接口;
提供低功耗模式;
低電流消耗(接收模式電流為9 mA,發(fā)射模式電流為12 mA)
TDA5250應(yīng)用電路
TDA5250應(yīng)用電路元器件參數(shù)
手機(jī)芯片升級(jí)換代兩大核心要素是架構(gòu)以及制程,架構(gòu)就是手機(jī)芯片的CPU核心微架構(gòu),而另一要素則是半導(dǎo)體制造工藝.
驍龍820采用的是三星半導(dǎo)體的14nm FinFet工藝,驍龍835則是采用了最新的10nm制程,制造工藝很大程度上決定著一款芯片的功耗水平,制程越先進(jìn)(XXnm數(shù)字越。┮豢钚酒墓脑降,驍龍835與驍龍820的尺寸對(duì)比,采用更先進(jìn)制程的驍龍835體積明顯小了很多。
采用10nm工藝的驍龍835功耗肯定要比14nm工藝的驍龍820低.
835處理器的關(guān)鍵組成部分包括:集成的X16 LTE調(diào)制解調(diào)器,支持千兆級(jí)LTE連接;集成的2x2 802.11ac Wave 2 Wi-Fi和Bluetooth 5;支持多千兆比特連接。
通過全新的Qualcomm Kryo 280 CPU和Qualcomm Hexagon 682 DSP實(shí)現(xiàn)了處理能力和性能的提升,其中Qualcomm Hexagon 682 DSP支持面向機(jī)器學(xué)習(xí)的TensorFlow和面向圖像處理的Halide。
驍龍835還大幅增強(qiáng)了Qualcomm Adreno視覺處理子系統(tǒng),包括全新的Adreno 540 GPU和面向下一代拍照功能的Qualcomm Spectra 180 ISP。還包括Qualcomm Haven安全平臺(tái),提升生物識(shí)別與終端認(rèn)證的安全性。
主要技術(shù)特點(diǎn)如下:
工作頻率為868~870 MHz;
FSK/ASK接收靈敏度為-109 dBm;
發(fā)射功率為 13 dBm;
FSK/ASK調(diào)制/解調(diào);
數(shù)據(jù)傳輸速率為100 Kb/s;
電源電壓為2.1~5 V;
I2C/3線總線接口;
提供低功耗模式;
低電流消耗(接收模式電流為9 mA,發(fā)射模式電流為12 mA)
TDA5250應(yīng)用電路
TDA5250應(yīng)用電路元器件參數(shù)
手機(jī)芯片升級(jí)換代兩大核心要素是架構(gòu)以及制程,架構(gòu)就是手機(jī)芯片的CPU核心微架構(gòu),而另一要素則是半導(dǎo)體制造工藝.
驍龍820采用的是三星半導(dǎo)體的14nm FinFet工藝,驍龍835則是采用了最新的10nm制程,制造工藝很大程度上決定著一款芯片的功耗水平,制程越先進(jìn)(XXnm數(shù)字越。┮豢钚酒墓脑降停旪835與驍龍820的尺寸對(duì)比,采用更先進(jìn)制程的驍龍835體積明顯小了很多。
采用10nm工藝的驍龍835功耗肯定要比14nm工藝的驍龍820低.
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