CMOS邏輯工藝生產(chǎn)出64M位鐵電RAM(FRAM)芯片，能代替各種應(yīng)用的嵌入式閃存和嵌入式DRAM。同一芯片上有嵌入式存儲器和處理器，外設(shè)和其它元件將會降低元件數(shù)量和系統(tǒng)復(fù)雜性，增加系統(tǒng)性能和數(shù)據(jù)安全。FRAM比其它的嵌入式存儲器的制造成本低，功耗也低。

其它的潛在市場包括有寬帶接入，消費(fèi)類電子和TI公司的大量的可編程DSP。

FRAM測試芯片是用標(biāo)準(zhǔn)的130nm銅連接工藝制造，僅增加兩道掩模工序。

1.5V芯片證明了迄今為止最小的FRAM單元，尺寸僅為0.52平方微米，因此在同樣的芯片上能得到比SRAM密度更高的存儲器。

在這種情況下，IBM采用雙極晶體管。在雙極晶體管，電子的移動是垂直的，所以，降低晶體管的高度而不是寬度，能改善速度。IBM采用新穎的垂直縮放比例技術(shù)，降低了晶體管的高度，縮短了電子移動通道，從而改善了性能。

IBM的SiGe芯片用現(xiàn)有的生產(chǎn)線制造，能以最小的成本迅速引用新技術(shù)。這使得SiGe技術(shù)擴(kuò)展了性能，延長了手機(jī)和RF通信產(chǎn)品的電池壽命。

該器件能在2.7-3.3V下工作，在0.5ms內(nèi)編程，而EEPROM則需要0.5s。它不需要延時，在標(biāo)準(zhǔn)總線的寫入速度達(dá)1MHz，而EEPROM的寫入時延就要10ms。

封裝分成兩個獨(dú)立的數(shù)據(jù)總線，這樣數(shù)據(jù)和程序能同時處理，大大地降低了處理時間。

MB84VY6A4A1的尺寸為15mm(長)x11mm(寬)x1.4mm(高)。球間距為0.8mm，和四片裝的MCP一樣大，而存儲容兩卻增加了20%。