低成本Delta-Sigma模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)ADS1110，它采用SOT23-6封裝。該新的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)IC有板上電壓基準(zhǔn)源，目標(biāo)應(yīng)用在空間和功耗是很重要考慮的高分辨率的測量如消費類電子產(chǎn)品，手持儀表，手提醫(yī)療設(shè)備和工業(yè)過程控制。

 它在SOT23-6的封裝內(nèi)集成了精密的ADC，電壓基準(zhǔn)源，可編增益放大器，振蕩器和I2C接口，能以最低的成本和容易使用的功能提供無可比擬的集成和精度。

ADS1110采用2.048V基準(zhǔn)電壓(0.05%精度，5ppm/C漂移)進(jìn)行全差分自校準(zhǔn)的ADC轉(zhuǎn)換，每秒可編取樣速率15，30，60或240次.可編增益放大器的增益高達(dá)8，使較小的信號能以較高的分辨率進(jìn)行測量。

MS1-16 DSP是基于軟件可編SoC核，用以實現(xiàn)無線基礎(chǔ)設(shè)備的WCDMA芯片速率處理部分。MS1-16 DSP核和MS1-64 DSP核目前作為軟件IP核以及Morpho技術(shù)開發(fā)系統(tǒng)內(nèi)硅功能向用戶提供。

MS1允許在基礎(chǔ)設(shè)備系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和語音通道處理間動態(tài)切換而不需要分隔硅中的信號處理通道，從而大大地降低硅的面積，成本和功耗。

Motorola已經(jīng)開發(fā)出簡化這種存儲器制造的技術(shù)。在Motorola的DigitalDNA實驗室，采用傳統(tǒng)的沉積設(shè)備，能在兩層氧化物間沉積直經(jīng)為50埃的硅納米晶體。

這種硅球用來保持和阻止電荷橫向運動到其它絕緣的納米晶體。這就期望能增加可靠性和可量測性，因為單一的氧化物缺陷不會導(dǎo)致像在傳統(tǒng)浮置柵非易失性存儲器中那樣的電荷完全損失。

硅納米晶體存儲器是潛在產(chǎn)品能替代傳統(tǒng)的閃存，它廣泛應(yīng)用在汽車電子，家用電器，無線設(shè)備和工業(yè)控制。

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