SRAM I/O接口的單元DRAM核的技術支持嵌入式手提應用
發(fā)布時間:2022/10/7 22:50:14 訪問次數(shù):218
新型超低功耗假靜態(tài)RAM(PSRAM)IS32WV16100 和IS32WV16200，其工作電壓從2.3V到3.6V，結構為1Mx16和 2Mx16，很適合用在下一代手機以及無線手持設備和手提應用。
16Mb和32Mb器件的速度有70ns和100ns，非常低的待機電流(50uA)和工作電流(10mA)。
其它特性還包括能提供測試好的裸芯片和工業(yè)溫度等級的芯片。PSRAM系列和Fujitsu, Toshiba和NEC的產(chǎn)品兼容。
16Mb和32Mb PSRAM采用基于有簡單SRAM I/O接口的單元DRAM核的技術來制造，得到更高的密度，每位更低的功耗和更小的尺寸。
它具有一流的數(shù)據(jù)吞吐量和傳輸范圍。SE2526A RF前端集成了高性能放大器，功率檢測器，發(fā)送/接收開關，多樣性開關和濾波器以及全匹配的50歐姆。
它還支持嵌入式手提應用，工作電壓為單電源3.0-3.6V，802.11g模式僅消耗電流160mA。
SE2526A的功率輸出高達16dBm，802.11g模式的誤差矢量幅度(EVM)小于3%。在802.11b模式，SE2526A提供輸出功率20dBm，相鄰通道功率比(ACPR)小于-35dBc。一流的EVM，ACPR和諧波失真性能保證工作在54Mbps 802.11g模式下有高的數(shù)據(jù)吞吐量和更長的距離。
此外，作為光耦合級，當LED和接收器件間的電流轉移比(CTR)衰減時會引起系統(tǒng)故障。
IR2136器件有三個高邊MOSFET和三個低邊IGBT高壓柵驅動器組成，有各種保護功能，和CMOS或LSTTL輸出兼容，3.3V邏輯電平直接和微處理器或其它邏輯器件接口，提供120mA/250mA輸出電流源/吸收源。
IR2136逆變器/驅動器IC能使機器人的設計有高達50V/ns dV/dt的免疫性和低的di/dt驅動電流。
來源：eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。圖片供參考
新型超低功耗假靜態(tài)RAM(PSRAM)IS32WV16100 和IS32WV16200，其工作電壓從2.3V到3.6V，結構為1Mx16和 2Mx16，很適合用在下一代手機以及無線手持設備和手提應用。
16Mb和32Mb器件的速度有70ns和100ns，非常低的待機電流(50uA)和工作電流(10mA)。
其它特性還包括能提供測試好的裸芯片和工業(yè)溫度等級的芯片。PSRAM系列和Fujitsu, Toshiba和NEC的產(chǎn)品兼容。
16Mb和32Mb PSRAM采用基于有簡單SRAM I/O接口的單元DRAM核的技術來制造，得到更高的密度，每位更低的功耗和更小的尺寸。
它具有一流的數(shù)據(jù)吞吐量和傳輸范圍。SE2526A RF前端集成了高性能放大器，功率檢測器，發(fā)送/接收開關，多樣性開關和濾波器以及全匹配的50歐姆。
它還支持嵌入式手提應用，工作電壓為單電源3.0-3.6V，802.11g模式僅消耗電流160mA。
SE2526A的功率輸出高達16dBm，802.11g模式的誤差矢量幅度(EVM)小于3%。在802.11b模式，SE2526A提供輸出功率20dBm，相鄰通道功率比(ACPR)小于-35dBc。一流的EVM，ACPR和諧波失真性能保證工作在54Mbps 802.11g模式下有高的數(shù)據(jù)吞吐量和更長的距離。
此外，作為光耦合級，當LED和接收器件間的電流轉移比(CTR)衰減時會引起系統(tǒng)故障。
IR2136器件有三個高邊MOSFET和三個低邊IGBT高壓柵驅動器組成，有各種保護功能，和CMOS或LSTTL輸出兼容，3.3V邏輯電平直接和微處理器或其它邏輯器件接口，提供120mA/250mA輸出電流源/吸收源。
IR2136逆變器/驅動器IC能使機器人的設計有高達50V/ns dV/dt的免疫性和低的di/dt驅動電流。
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