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雙通路器件控制MOSFET開關(guān)更加可重復(fù)和精確的方法

發(fā)布時(shí)間:2022/10/8 19:57:41 訪問次數(shù):58

嵌入式處理器V-Dragon,它是基于Linux操作系統(tǒng),能產(chǎn)生中文字符32000個(gè)(能擴(kuò)展到50000個(gè))簡體字和繁體字.此外,還能支持ASCII字符.

V-Dragon處理器目標(biāo)應(yīng)用是嵌入式產(chǎn)品如手持設(shè)備和圖形輸入板PC.該公司宣稱,該處理器將會(huì)比臺(tái)式PC有更大的市場(chǎng)潛力.

該芯片采用SOC結(jié)構(gòu),具有帶專用DMA模塊的10/100Mbps以太網(wǎng)接口(EMAC),64位讀和寫數(shù)據(jù)總線地址管線,有四個(gè)USB端口的全速USB主控制器,支持1GB的SDRAM,和OHCI V1.1標(biāo)準(zhǔn)兼容以及具有用于觸摸屏和聲音檢測(cè)的外掛ADC-SAR.

把功率MOSFET和肖特基阻塞二極管集成在單一裸芯片上,創(chuàng)新一種稱作MOSBD新器件。

第一個(gè)MOSBD,型號(hào)為TPC8A01,是雙通路器件,組合了兩個(gè)MPOSFET和一個(gè)肖特基阻塞二極管。因此,把在DC/DC轉(zhuǎn)換器中同步整流所用的三種器件集成在一個(gè)封裝內(nèi),容易在PCB上安裝,節(jié)省了更大的板的空間。

器件很適合用在筆記本電腦,PDA,LCD和硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器中的DC/DC轉(zhuǎn)換器。

新的MOSBD,由于消除了MOSFET和二極管間的外部連線,大大地降低了連線的電阻和電感。新器件也由于采用東芝的UMOS III工藝,能進(jìn)一步改善性能。TPC8A01 MOSBD的占位面積為30mm2,厚度為1.6mm,封裝為工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SOP-8。

FDC6901L很適合用作手機(jī),PDA或功率管理/安全應(yīng)用的負(fù)載開關(guān),例如DVD播放器,機(jī)頂盒和其它消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

FDC6901L先進(jìn)的加電控制功能是基于采用小型IC來驅(qū)動(dòng)集成P-MOSFET開關(guān)的獨(dú)特的設(shè)計(jì),有可編的恒流源。這種設(shè)計(jì)提供了控制MOSFET開關(guān)更加可重復(fù)和精確的方法,允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)者避免重置或由電源電壓變化所引起的系統(tǒng)故障。

可調(diào)整的導(dǎo)通能降低浪涌電流,因此也降低了電源上的功率損耗和瞬變電壓.FDC6901L有強(qiáng)有力的上拉緩沖器,能很快地關(guān)斷內(nèi)部的MOSFET,因?yàn)樯仙龝r(shí)間小于7us,并能增加到124us或162us.

來源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考

嵌入式處理器V-Dragon,它是基于Linux操作系統(tǒng),能產(chǎn)生中文字符32000個(gè)(能擴(kuò)展到50000個(gè))簡體字和繁體字.此外,還能支持ASCII字符.

V-Dragon處理器目標(biāo)應(yīng)用是嵌入式產(chǎn)品如手持設(shè)備和圖形輸入板PC.該公司宣稱,該處理器將會(huì)比臺(tái)式PC有更大的市場(chǎng)潛力.

該芯片采用SOC結(jié)構(gòu),具有帶專用DMA模塊的10/100Mbps以太網(wǎng)接口(EMAC),64位讀和寫數(shù)據(jù)總線地址管線,有四個(gè)USB端口的全速USB主控制器,支持1GB的SDRAM,和OHCI V1.1標(biāo)準(zhǔn)兼容以及具有用于觸摸屏和聲音檢測(cè)的外掛ADC-SAR.

把功率MOSFET和肖特基阻塞二極管集成在單一裸芯片上,創(chuàng)新一種稱作MOSBD新器件。

第一個(gè)MOSBD,型號(hào)為TPC8A01,是雙通路器件,組合了兩個(gè)MPOSFET和一個(gè)肖特基阻塞二極管。因此,把在DC/DC轉(zhuǎn)換器中同步整流所用的三種器件集成在一個(gè)封裝內(nèi),容易在PCB上安裝,節(jié)省了更大的板的空間。

器件很適合用在筆記本電腦,PDA,LCD和硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器中的DC/DC轉(zhuǎn)換器。

新的MOSBD,由于消除了MOSFET和二極管間的外部連線,大大地降低了連線的電阻和電感。新器件也由于采用東芝的UMOS III工藝,能進(jìn)一步改善性能。TPC8A01 MOSBD的占位面積為30mm2,厚度為1.6mm,封裝為工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SOP-8。

FDC6901L很適合用作手機(jī),PDA或功率管理/安全應(yīng)用的負(fù)載開關(guān),例如DVD播放器,機(jī)頂盒和其它消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

FDC6901L先進(jìn)的加電控制功能是基于采用小型IC來驅(qū)動(dòng)集成P-MOSFET開關(guān)的獨(dú)特的設(shè)計(jì),有可編的恒流源。這種設(shè)計(jì)提供了控制MOSFET開關(guān)更加可重復(fù)和精確的方法,允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)者避免重置或由電源電壓變化所引起的系統(tǒng)故障。

可調(diào)整的導(dǎo)通能降低浪涌電流,因此也降低了電源上的功率損耗和瞬變電壓.FDC6901L有強(qiáng)有力的上拉緩沖器,能很快地關(guān)斷內(nèi)部的MOSFET,因?yàn)樯仙龝r(shí)間小于7us,并能增加到124us或162us.

來源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考

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