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開關(guān)過程中超過6V電壓過沖器件不會劣化有助于提高電源電路可靠性

發(fā)布時間:2024/6/27 0:31:53 訪問次數(shù):24

耐壓200V以下的GaN器件,相對于5V的柵極驅(qū)動電壓,典型的柵源額定電壓為6V,電壓極窄僅1V的余量。超過額定電壓會導(dǎo)致可靠性下降和破壞等問題,加上柵極驅(qū)動電壓需要高精度控制,這一直是GaN器件普及的主要障礙。

這個新系列通過采用獨創(chuàng)的結(jié)構(gòu),成功地將額定柵源電壓從典型的6V提高到了業(yè)界領(lǐng)先的 8V。這擴大了器件工作期間的電壓裕度,因此即使在開關(guān)過程中發(fā)生超過6V的電壓過沖,器件也不會劣化,有助于提高電源電路的可靠性。

GNE10xxTB系列采用高度通用的封裝,在可靠性和可安裝性方面具有良好的記錄,可提供出色的散熱和大電流能力,便于安裝過程中的處理。

PM-OLED有單色和全彩兩種顯示顏色可選,屏幕偏色程度低,均一性較好的同時,屏幕厚度在1.03mm-2.01mm間不等,有利于結(jié)構(gòu)設(shè)計。并且產(chǎn)品不易受環(huán)境溫度影響,具有品質(zhì)穩(wěn)定高、使用壽命長、防震動等優(yōu)點,適用連接器的種類也很豐富。

除了在顯示器行業(yè),F(xiàn)utaba在航模領(lǐng)域的研發(fā)也有非常悠久的歷史,市場保有量大,認可度高。基于此,F(xiàn)utaba將航模產(chǎn)品積累的成熟技術(shù)推廣在產(chǎn)業(yè)伺服器上,使伺服器在可靠性、壽命、售后、客制化上都有長足的提升。

Futaba產(chǎn)業(yè)伺服器的驅(qū)動電壓有4.8V-6.0V(NiMH 4S-5S)、6.0V-8.4V(LiFe 2S,LiPo 2S)、11.1V-14.8V(LiFe 4S,LiPo 3S)和24V四個系列;最大扭矩在1.7~110kgf•cm范圍之間;空載速度在0.05~0.57秒/60°之間,可選擇的范圍更廣。

NSD731x系列還提供A版本產(chǎn)品。其內(nèi)部增加了功率路徑電流鏡像功能,外部ADC/MCU可直接通過電流偵測引腳實時等比例得到功率級N-MOSFET的負載電流,與傳統(tǒng)采用外置電流采樣電阻的設(shè)計相比,該設(shè)計有助于客戶優(yōu)化PCB版圖面積,節(jié)省采樣電阻成本。



矢量變頻控制的扭矩大、扭矩輸出平穩(wěn),噪音小、效率高。但是控制算法復(fù)雜、運算量較大,對MCU性能有一定要求。LM2594MX-5.0/NOPB

矢量變頻器應(yīng)用方案采用AT32F421系列超值型ARM® Cortex®-M4微控制器,M4內(nèi)核可媲美M0價格,主頻高達120MHz,最高可支持64KB閃存存儲器(Flash)及16KB隨機存取存儲器(SRAM),提供豐富接口與各種功能,可實現(xiàn)高性能、高精度的電機驅(qū)動控制。

http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司


耐壓200V以下的GaN器件,相對于5V的柵極驅(qū)動電壓,典型的柵源額定電壓為6V,電壓極窄僅1V的余量。超過額定電壓會導(dǎo)致可靠性下降和破壞等問題,加上柵極驅(qū)動電壓需要高精度控制,這一直是GaN器件普及的主要障礙。

這個新系列通過采用獨創(chuàng)的結(jié)構(gòu),成功地將額定柵源電壓從典型的6V提高到了業(yè)界領(lǐng)先的 8V。這擴大了器件工作期間的電壓裕度,因此即使在開關(guān)過程中發(fā)生超過6V的電壓過沖,器件也不會劣化,有助于提高電源電路的可靠性。

GNE10xxTB系列采用高度通用的封裝,在可靠性和可安裝性方面具有良好的記錄,可提供出色的散熱和大電流能力,便于安裝過程中的處理。

PM-OLED有單色和全彩兩種顯示顏色可選,屏幕偏色程度低,均一性較好的同時,屏幕厚度在1.03mm-2.01mm間不等,有利于結(jié)構(gòu)設(shè)計。并且產(chǎn)品不易受環(huán)境溫度影響,具有品質(zhì)穩(wěn)定高、使用壽命長、防震動等優(yōu)點,適用連接器的種類也很豐富。

除了在顯示器行業(yè),F(xiàn)utaba在航模領(lǐng)域的研發(fā)也有非常悠久的歷史,市場保有量大,認可度高;诖,F(xiàn)utaba將航模產(chǎn)品積累的成熟技術(shù)推廣在產(chǎn)業(yè)伺服器上,使伺服器在可靠性、壽命、售后、客制化上都有長足的提升。

Futaba產(chǎn)業(yè)伺服器的驅(qū)動電壓有4.8V-6.0V(NiMH 4S-5S)、6.0V-8.4V(LiFe 2S,LiPo 2S)、11.1V-14.8V(LiFe 4S,LiPo 3S)和24V四個系列;最大扭矩在1.7~110kgf•cm范圍之間;空載速度在0.05~0.57秒/60°之間,可選擇的范圍更廣。

NSD731x系列還提供A版本產(chǎn)品。其內(nèi)部增加了功率路徑電流鏡像功能,外部ADC/MCU可直接通過電流偵測引腳實時等比例得到功率級N-MOSFET的負載電流,與傳統(tǒng)采用外置電流采樣電阻的設(shè)計相比,該設(shè)計有助于客戶優(yōu)化PCB版圖面積,節(jié)省采樣電阻成本。



矢量變頻控制的扭矩大、扭矩輸出平穩(wěn),噪音小、效率高。但是控制算法復(fù)雜、運算量較大,對MCU性能有一定要求。LM2594MX-5.0/NOPB

矢量變頻器應(yīng)用方案采用AT32F421系列超值型ARM® Cortex®-M4微控制器,M4內(nèi)核可媲美M0價格,主頻高達120MHz,最高可支持64KB閃存存儲器(Flash)及16KB隨機存取存儲器(SRAM),提供豐富接口與各種功能,可實現(xiàn)高性能、高精度的電機驅(qū)動控制。

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