STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開關(guān)式電源(SMPS)。

首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。

STP65N045M9的柵極閾壓(VGS(th))典型值為3.7V，STP60N043DM9的典型值為4.0V，與上一代的MDmesh M5和M6/DM6相比，可極大程度地降低通斷開關(guān)損耗。MDmesh M9和DM9系列的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和反向恢復(fù)時(shí)間(trr)也都非常低，這有助于進(jìn)一步提高能效和開關(guān)性能。

設(shè)計(jì)人員可將所需功能集成到更小的系統(tǒng)空間，減小材料清單(BOM)和印刷電路板尺寸，同時(shí)提高性能，并改善消費(fèi)者體驗(yàn)。

兩款產(chǎn)品都能夠提供50V的絕對最大電源電壓，在低VBB下可提供更高的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，并在使用電池供電時(shí)能夠提供更高的效率，從而允許設(shè)計(jì)人員采用較低成本的FET。這些器件還可以在待機(jī)狀態(tài)下降低電流消耗，以降低總電池負(fù)載。

針對更加復(fù)雜的波形，IT7800允許用戶將真實(shí)波形數(shù)據(jù)導(dǎo)入設(shè)備，利用自定義波形編輯功能來模擬真實(shí)交流或直流供電系統(tǒng)在不同測試環(huán)境下對被測物的干擾影響，從而優(yōu)化和改善DUT電路設(shè)計(jì)。

同時(shí)IT7800系列大功率可編程交流電源能夠模擬harmonic、inter-harmonic以及諧波合成。

IT7800系列大功率可編程交流電源配備了全新的觸摸屏設(shè)計(jì)，配合直觀簡便的UI界面讓可以快速流暢的使用操作。不但提供純正的交/直流輸出，還可以利用AC+DC和DC+AC輸出模式實(shí)現(xiàn)“交流輸出加直流偏置”以及“含紋波的直流輸出波形”，為用戶提供更寬范圍的測試應(yīng)用。