NCP1623是小尺寸的升壓功率因數(shù)校正(PFC)控制器，額定功率達(dá)300W，應(yīng)用于USB PD快充適配器和計(jì)算機(jī)電源。該器件在重載時(shí)以臨界導(dǎo)電模式(CrM)工作，然后隨著負(fù)載的減少進(jìn)入非連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)，以在額定負(fù)載和輕載時(shí)都能實(shí)現(xiàn)能效最大化。 

NCP1623在低輸入電壓可將能效提高到2%，睡眠模式用電<100μA，優(yōu)化空載輸入電源狀態(tài)。

NCP4307是一個(gè)高性能驅(qū)動(dòng)器，可在多種高性能開關(guān)電源拓?fù)渲信c同步整流(SR)MOSFET一起使用。 該器件將從內(nèi)部一個(gè)200V CS引腳自供電，實(shí)現(xiàn)上橋配置和低VOUT，而不需要一個(gè)輔助電源。 雙VCC引腳選擇最佳VCC源端以盡量降低損耗，從而優(yōu)化寬范圍VOUT應(yīng)用的設(shè)計(jì)。

類SRAM的異步存儲(chǔ)器和專用集成電路(ASIC)器件

異步、同步和頁面模式(僅在非復(fù)用模式下可用)突發(fā)NOR閃存設(shè)備

NAND閃存

偽SRAM器件

從NAND閃存讀取時(shí)，需要進(jìn)行某種程度的糾錯(cuò)。在沒有內(nèi)部校正能力的NAND模塊(有時(shí)稱為裸 NAND)的情況下，校正過程委托給內(nèi)存控制器。

通用內(nèi)存控制器(GPMC)探測(cè)從外部NAND閃存讀取的數(shù)據(jù)，并使用它來計(jì)算類似于校驗(yàn)和的信息，稱為校正多項(xiàng)式，以每個(gè)塊為基礎(chǔ)。

在電源和欠壓鎖定保護(hù)(UVLO) 方面，當(dāng)輸入電壓超過欠壓鎖定保護(hù)(UVLO)的上升 閾值電壓時(shí)，相應(yīng)的降壓(Buck)調(diào)節(jié)器啟動(dòng)。 當(dāng)輸入電壓低于欠壓鎖定保護(hù)(UVLO)下降閾值電壓，模塊關(guān)斷。

在使能和開關(guān)頻率同步輸入(EN/SYNCI) 方面，頻率同步(SYNC)輸入(EN/SYNCI)引腳是 一個(gè)數(shù)字啟動(dòng)和關(guān)斷芯片的控制引腳。拉高EN/SYNCI引腳開啟調(diào)節(jié)器，拉低EN引腳關(guān)斷調(diào)節(jié)器。

當(dāng)此引腳浮空時(shí)，EN/SYNCI被內(nèi)部電 阻自動(dòng)拉低。直接將EN/SYNCI連接至電壓源極時(shí)需將電壓源幅度限制在6V及以內(nèi)，以防止損壞模塊。當(dāng)拉高EN/SYNCI至12VIN時(shí)，需要一個(gè)分壓電阻。

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