VIPerGaN50使用與MASTERGAN系列相同的650V GaN晶體管，因此具有類似優(yōu)勢。例如，GaN的高電子遷移率意味著該器件可適用于高開關頻率。因此，該器件可承受更大負載，同時減少損耗。有鑒于此，GaN可用于制造可輸出更高功率、同時整體尺寸更小的電源。

緩沖電路緩解此類情況，但提高效率的最佳方法是軟開關，這意味著在電壓或電流為零時進行開關。為此，通過諧振(電感-電容或LC)將方波信號轉換為正弦波形。在ZVS中，啟動發(fā)生在曲線底部或谷底。工程師試圖提高QR ZVS反激式轉換器效率，而GaN正好給出一個新答案。

VIPerGaN50是此類別的首款產(chǎn)品，因此具有極大象征意義。把GaN作為業(yè)務發(fā)展重點，使用具有更高規(guī)格的晶體管。因此，未來的 VIPerGaN 型號將具有更高的輸出功率。

IPU子系統(tǒng)的集成中斷處理使其能夠作為一個高效的控制單元。

嵌入式視覺引擎(EVE)模塊是一種可編程成像和視覺處理引擎，旨在用于服務于客戶電子成像和視覺應用的設備。其可編程性滿足后期開發(fā)或硅后處理要求，并允許第三方或客戶在成像和視覺產(chǎn)品中添加差異化功能。

EMIF模塊提供DDR存儲器類型之間的連接，并管理外部存儲器和設備子系統(tǒng)之間的數(shù)據(jù)總線讀/寫訪問，這些子系統(tǒng)對L3_MAIN互連和DMA功能具有主訪問權限。

每個校正子多項式給出一個完整塊的讀取操作狀態(tài)，包括512字節(jié)的數(shù)據(jù)、奇偶校驗位和可選的備用區(qū)域數(shù)據(jù)字段，最大塊大小為1023字節(jié)。計算基于Bose-Chaudhuri-Hocquenghem(BCH)算法。錯誤定位模塊(ELM)從這些校正子多項式中提取錯誤地址。

基于校正子多項式值，ELM可以檢測錯誤、計算錯誤數(shù)量并給出每個錯誤位的位置。完成糾錯算法不需要實際數(shù)據(jù)。可以在NAND閃存塊的任何位置報告錯誤，包括奇偶校驗位。

兩個Cortex-M4內(nèi)核均可用于運行RTOS、控制ISP、SIMCOP、DSS和其他功能等任務。在Cortex-M4內(nèi)核之間分配各種任務以獲得最佳性能是軟件的責任。 

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