新UF4C/SC系列的亮點就在于下表中出色的SiC FET性能表征：

所有RDS(on)產(chǎn)品(23、30、53和70毫歐)都采用行業(yè)標準4引腳開爾文源極TO-247封裝，在較高的性能等級下提供更清潔的開關(guān)。53和70毫歐器件還采用TO-247 3引腳封裝。

該系列零件在控制得當?shù)臒嵝阅芑A(chǔ)上實現(xiàn)了出色的可靠性，這種熱性能是先進的銀燒結(jié)晶粒連接方式和先進的晶圓減薄工藝帶來的結(jié)果。

FET-Jet CalculatorTM是一種免費的在線設(shè)計工具，包含了所有的1200V SiC FET，可以立即評估各種交直流和隔離/非隔離直流轉(zhuǎn)換器拓撲中所用器件的能效、組件損耗和結(jié)溫上升。

單機儀表頻率高達54GHz，單機的帶寬可達到2.5GHz，單機通道數(shù)可以提供4通道的信號輸出，從信號的純度（相位噪聲、EVM調(diào)制質(zhì)量、ACPR等硬性指標）都有了全新的提升。

Archer.5專為可用空間非常有限的應(yīng)用而設(shè)計，是電路板、堆�；騊CB連接器的完美選擇，其應(yīng)用領(lǐng)域包括緊湊型控制和監(jiān)控設(shè)備、嵌入式計算、傳感器模塊、攝像頭/激光雷達單元和物聯(lián)網(wǎng)連接設(shè)備等。

SiC器件比硅前輩具有明顯的優(yōu)勢，包括增強高頻能效、更低的EMI、能在更高溫度下工作和更可靠。 垂直集成能力的SiC方案供應(yīng)商，包括SiC晶球生長、襯底、外延、晶圓制造、同類最佳的集成模塊和分立封裝解決方案。

NTBL045N065SC1是首款采用TOLL封裝的 SiC MOSFET，適用于要求嚴苛的應(yīng)用，包括開關(guān)電源 (SMPS)、服務(wù)器和電信電源、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和儲能。 該器件適用于需要滿足最具挑戰(zhàn)性的能效標準的設(shè)計，包括 ErP和80 PLUS Titanium能效標準。

NTBL045N065SC1的VDSS額定值為650V，典型RDS(on)僅為33mΩ，最大電耗(ID)為73A。

來源：21ic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考