集成高可靠性電容檢測(cè)按鍵模塊承受雙倍過功率拉載測(cè)試
發(fā)布時(shí)間:2022/10/23 12:43:30 訪問次數(shù):81
智能模組SNM951,采用插槽式接口設(shè)計(jì),而非直接焊接,即支持在斷電后插拔替換,使用方便,最大化節(jié)約空間等方面的考慮。
該模組搭載高通QCS8250 SoC,其內(nèi)部集成八核高性能高通®Kryo™ 585 CPU(包括1顆2.85GHz的Kryo Gold Prime內(nèi)核、3顆2.4GHz的Kryo Gold內(nèi)核以及4顆1.8GHz的Kryo Silver內(nèi)核)、高通®Adreno™650GPU、高通®Adreno 995 DPU、高通®Hexagon DSP以及Qualcomm Spectra 480 ISP,采用7nm工藝制程,可面向企業(yè)級(jí)計(jì)算密集型以及商用物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供高達(dá)15Tops的綜合AI計(jì)算性能,為邊緣計(jì)算提供足夠的算力支撐。
通信支持1路IIC、2路UART(其中一路支持Lin2.1協(xié)議)、1路SPI、最多達(dá)7路PWM;支持BLDC電機(jī)控制,最多達(dá)24路12位分辨率ADC,最多可支持26 個(gè)I/O,并集成高可靠性電容檢測(cè)按鍵模塊,包括TSSOP28、QFN20兩種封裝形式。
8位車規(guī)級(jí)MCU芯片,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化零突破。BS9000AMXX系列芯片,其外設(shè)資源更加豐富,例如:增加了LIN2.1通信、SPI通信、PWM支持互補(bǔ)輸出可以做BLDC控制,支持在線升級(jí),完全滿足行業(yè)對(duì)產(chǎn)品系統(tǒng)復(fù)雜度及系統(tǒng)功耗的開發(fā)需求。
內(nèi)部可設(shè)置電池放電截止條件設(shè)置:電壓、容量、時(shí)間,可分析電池容量衰減特性。
根據(jù)JEDEC 2020年發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn),在加入了寫入增強(qiáng)器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)、性能調(diào)整通知(Performance Throttling Notification)等技術(shù)后,UFS 3.1理論帶寬可達(dá)2.9GB/s*,性能較eMMC 5.1及UFS 2.2有了大幅提升。
UFS 3.1作為當(dāng)下旗艦智能手機(jī)、平板的首選存儲(chǔ)方案,可大幅縮短應(yīng)用加載的等待時(shí)間,提升工作效率,為消費(fèi)者帶來8K視頻、AR/VR等前沿技術(shù)的優(yōu)質(zhì)體驗(yàn)。
高達(dá)10kHz的模擬量控制和高達(dá)25 kHz的動(dòng)態(tài)拉載特性,結(jié)合List編程可模擬電池的復(fù)雜工況。如有瞬間大功率的拉載需求,IT8400也可以承受雙倍過功率拉載測(cè)試,幫助客戶大大節(jié)約成本。
智能模組SNM951,采用插槽式接口設(shè)計(jì),而非直接焊接,即支持在斷電后插拔替換,使用方便,最大化節(jié)約空間等方面的考慮。
該模組搭載高通QCS8250 SoC,其內(nèi)部集成八核高性能高通®Kryo™ 585 CPU(包括1顆2.85GHz的Kryo Gold Prime內(nèi)核、3顆2.4GHz的Kryo Gold內(nèi)核以及4顆1.8GHz的Kryo Silver內(nèi)核)、高通®Adreno™650GPU、高通®Adreno 995 DPU、高通®Hexagon DSP以及Qualcomm Spectra 480 ISP,采用7nm工藝制程,可面向企業(yè)級(jí)計(jì)算密集型以及商用物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供高達(dá)15Tops的綜合AI計(jì)算性能,為邊緣計(jì)算提供足夠的算力支撐。
通信支持1路IIC、2路UART(其中一路支持Lin2.1協(xié)議)、1路SPI、最多達(dá)7路PWM;支持BLDC電機(jī)控制,最多達(dá)24路12位分辨率ADC,最多可支持26 個(gè)I/O,并集成高可靠性電容檢測(cè)按鍵模塊,包括TSSOP28、QFN20兩種封裝形式。
8位車規(guī)級(jí)MCU芯片,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化零突破。BS9000AMXX系列芯片,其外設(shè)資源更加豐富,例如:增加了LIN2.1通信、SPI通信、PWM支持互補(bǔ)輸出可以做BLDC控制,支持在線升級(jí),完全滿足行業(yè)對(duì)產(chǎn)品系統(tǒng)復(fù)雜度及系統(tǒng)功耗的開發(fā)需求。
內(nèi)部可設(shè)置電池放電截止條件設(shè)置:電壓、容量、時(shí)間,可分析電池容量衰減特性。
根據(jù)JEDEC 2020年發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn),在加入了寫入增強(qiáng)器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)、性能調(diào)整通知(Performance Throttling Notification)等技術(shù)后,UFS 3.1理論帶寬可達(dá)2.9GB/s*,性能較eMMC 5.1及UFS 2.2有了大幅提升。
UFS 3.1作為當(dāng)下旗艦智能手機(jī)、平板的首選存儲(chǔ)方案,可大幅縮短應(yīng)用加載的等待時(shí)間,提升工作效率,為消費(fèi)者帶來8K視頻、AR/VR等前沿技術(shù)的優(yōu)質(zhì)體驗(yàn)。
高達(dá)10kHz的模擬量控制和高達(dá)25 kHz的動(dòng)態(tài)拉載特性,結(jié)合List編程可模擬電池的復(fù)雜工況。如有瞬間大功率的拉載需求,IT8400也可以承受雙倍過功率拉載測(cè)試,幫助客戶大大節(jié)約成本。
熱門點(diǎn)擊
- CNY17F-3光耦合器6個(gè)有用于馬達(dá)控制或
- 輻射的數(shù)據(jù)包括TID SEE 中子和瞬時(shí)劑量
- 分立半導(dǎo)體芯片集成電路在儲(chǔ)存狀態(tài)下最低溫度和
- 芯片中的內(nèi)置電壓鉗位使每個(gè)能吸收30mJ(毫
- 高頻Wi-Fi和無線LAN更寬子載波間隔和寬
- 移動(dòng)Intel®Pentium 4
- 接觸器常開主觸點(diǎn)符號(hào)由接觸器觸點(diǎn)功能符號(hào)和常
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推薦技術(shù)資料
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