芯片中的內(nèi)置電壓鉗位使每個(gè)能吸收30mJ(毫焦耳)的雪崩能量
發(fā)布時(shí)間:2022/9/28 8:14:20 訪問次數(shù):318
8位移位寄存器STPIC6C595,有100mA驅(qū)動能力的低邊DMOS輸出晶體管,能驅(qū)動LED,繼電器和螺線管。STPIC6C595的導(dǎo)通電阻RDS(0n)為4歐姆,對感性負(fù)載能經(jīng)受33V的尖峰輸出電壓。
STPIC6C595的邏輯部分有8位串行進(jìn)并行出的移位寄存器,連接著8位D型存儲寄存器。
在25oC的外殼溫度,輸出電流限制在250mA.為了進(jìn)一步保護(hù),溫度較高時(shí),最大允許電流會減小。芯片中的內(nèi)置電壓鉗位使每個(gè)能吸收30mJ(毫焦耳)的雪崩能量。STPIC6C595也能經(jīng)受住高達(dá)1.5KV(人體模擬)和200V(機(jī)器模擬)的ESD尖峰電壓。
STPIC6C595功率-邏輯8位移位寄存器額定工作溫度為-40度到+125度,有SO-16和TSSOP-16兩種封裝。
M41T0和M41T80集成了一個(gè)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的400kHz I2C 串行接口,工作溫度在-40度到+85度的工業(yè)溫度范圍內(nèi),封裝采用節(jié)省空間的表面組裝封裝,電源電壓從2V到5.5V,電流量極小。
特別是,M41T0在待機(jī)時(shí)僅耗電900nA,在工作時(shí)僅35uA(均是在3.0V時(shí)的典型值)。M41T80在待機(jī)時(shí)僅耗電1.5uA(在3.0V時(shí)的典型值) ,在工作時(shí)僅30uA(在3.0V時(shí)的最大值)。
除計(jì)時(shí)功能外,M41T0還有一個(gè)可以檢測振蕩器何時(shí)開始下降的振蕩器停止位。
高速超小型大功率晶體管系列SA2071/2072和2SC5824/5825,它的速度比以前同樣封裝的提高了兩倍。此外,新晶體管由于放電電壓提高了五倍,安全工作范圍(SOA)大大提高了。
新型晶體管是微型MPT3和CPT3封裝,額定指標(biāo)為電壓60V和電流3A。很適合用在汽車電子,光學(xué)存儲,DC/DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源。小型晶體管也特別適合用在手提設(shè)備,增加開關(guān)頻率能大大改善功率轉(zhuǎn)換的效率,有助延長電池壽命。
所有器件的上升時(shí)間和下降時(shí)間分別是30ns 和20ns。所有器件能工作在高達(dá)150°C,MPT3的耗散功率為500mW,CPT3則為1.0W。
8位移位寄存器STPIC6C595,有100mA驅(qū)動能力的低邊DMOS輸出晶體管,能驅(qū)動LED,繼電器和螺線管。STPIC6C595的導(dǎo)通電阻RDS(0n)為4歐姆,對感性負(fù)載能經(jīng)受33V的尖峰輸出電壓。
STPIC6C595的邏輯部分有8位串行進(jìn)并行出的移位寄存器,連接著8位D型存儲寄存器。
在25oC的外殼溫度,輸出電流限制在250mA.為了進(jìn)一步保護(hù),溫度較高時(shí),最大允許電流會減小。芯片中的內(nèi)置電壓鉗位使每個(gè)能吸收30mJ(毫焦耳)的雪崩能量。STPIC6C595也能經(jīng)受住高達(dá)1.5KV(人體模擬)和200V(機(jī)器模擬)的ESD尖峰電壓。
STPIC6C595功率-邏輯8位移位寄存器額定工作溫度為-40度到+125度,有SO-16和TSSOP-16兩種封裝。
M41T0和M41T80集成了一個(gè)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的400kHz I2C 串行接口,工作溫度在-40度到+85度的工業(yè)溫度范圍內(nèi),封裝采用節(jié)省空間的表面組裝封裝,電源電壓從2V到5.5V,電流量極小。
特別是,M41T0在待機(jī)時(shí)僅耗電900nA,在工作時(shí)僅35uA(均是在3.0V時(shí)的典型值)。M41T80在待機(jī)時(shí)僅耗電1.5uA(在3.0V時(shí)的典型值) ,在工作時(shí)僅30uA(在3.0V時(shí)的最大值)。
除計(jì)時(shí)功能外,M41T0還有一個(gè)可以檢測振蕩器何時(shí)開始下降的振蕩器停止位。
高速超小型大功率晶體管系列SA2071/2072和2SC5824/5825,它的速度比以前同樣封裝的提高了兩倍。此外,新晶體管由于放電電壓提高了五倍,安全工作范圍(SOA)大大提高了。
新型晶體管是微型MPT3和CPT3封裝,額定指標(biāo)為電壓60V和電流3A。很適合用在汽車電子,光學(xué)存儲,DC/DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源。小型晶體管也特別適合用在手提設(shè)備,增加開關(guān)頻率能大大改善功率轉(zhuǎn)換的效率,有助延長電池壽命。
所有器件的上升時(shí)間和下降時(shí)間分別是30ns 和20ns。所有器件能工作在高達(dá)150°C,MPT3的耗散功率為500mW,CPT3則為1.0W。
熱門點(diǎn)擊
- 電源VCC1和VCC2為循跡聚焦和主軸提供低
- PN結(jié)電容與反向偏置電壓的關(guān)系制成的二極管
- 輻射的數(shù)據(jù)包括TID SEE 中子和瞬時(shí)劑量
- 芯片中的內(nèi)置電壓鉗位使每個(gè)能吸收30mJ(毫
- 移動Intel®Pentium 4
- 內(nèi)置的LabVIEW RT引擎與128MB的
- 無線網(wǎng)絡(luò)T1/E1線路來實(shí)現(xiàn)通信從基站到基站
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- 30-V Si7902EDN雙共漏功率MOS
- 600mA的工作電流有助于最大限度降低產(chǎn)品的
推薦技術(shù)資料
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