新器件提供高達(dá)850mA的輸出電流，并且無(wú)需金屬散熱片。這款高度集成的IC支持30至550VDC的寬輸入電壓，使電動(dòng)汽車應(yīng)用中的電子設(shè)備能夠在低于要求的安全超低電壓(SELV)閾值時(shí)正常啟動(dòng)和工作。

“隨著電動(dòng)汽車中的電子設(shè)備變得越來(lái)越復(fù)雜，汽車廠商需要更高的電源電流來(lái)驅(qū)動(dòng)它們。

相較于LinkSwitch-TN2Q產(chǎn)品系列的其他器件，這款新IC的850mA額定值表示可用輸出電流增加了230%。LinkSwitch-TN2Q IC采用SMD封裝，內(nèi)部集成控制、驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)電路和750V功率MOSFET，可大幅減少元件數(shù)量。

第一款模塊A2F12M12W2-F1是一個(gè)四組模塊，可為DC/DC轉(zhuǎn)換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。第二款模塊A2U12M12W2-F2采用三電平T型逆變拓?fù)�，�?dǎo)通能效和開關(guān)能效均很出色，輸出電壓質(zhì)量穩(wěn)定。

RDS(on) x 芯片面積品質(zhì)因數(shù)非常出色，確保開關(guān)可以處理高電流，把功率損耗降至很低。每款芯片的典型導(dǎo)通電阻RDS(on)都是13mΩ，全橋拓?fù)浜蚑型拓?fù)鋬煽钅K均可用于設(shè)計(jì)高功率應(yīng)用，而低熱耗散確保應(yīng)用能效出色，熱管理設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單。

車規(guī)級(jí)OptiMOS™功率MOSFET產(chǎn)品組合，樹立了20V-300V范圍內(nèi)的質(zhì)量標(biāo)桿，提供了多種封裝和低至0.55 mΩ的Rds(on)。

該模型反應(yīng)流經(jīng)MOSFET的電流導(dǎo)致半導(dǎo)體的溫度變化，進(jìn)而影響MOSFET的電氣參數(shù)，例如，電荷載流子遷移率、電壓閾值、漏極電阻、柵漏電容和柵源電容。