300mAh電池的手表，換裝W5+后，可以多用15小時。

同時，工藝從12nm提升到4nm也可謂是飛躍。目前市面上的高端智能手表芯片中，Apple Watch的S7為7nm，三星Galaxy Watch 4的Exynos W920是5nm。

芯片基本架構(gòu)上，CPU部分采用4顆Cortex A53，最大1.7GHz，加上1顆Cortex M55(250MHz)協(xié)處理器，集成雙GPU，其中包括Adreno A702(1GHz)，最大支持16GB LPDDR4內(nèi)存。

功能特性還有支持超低功耗藍(lán)牙5.3、雙頻GPS定位、北斗、4G網(wǎng)絡(luò)、雙頻Wi-Fi(802.11n)、eMMC 4.5等。

這些AEC-Q101車規(guī)級器件具有深度回彈特性和0.27Ω低電阻特性，可提高高速數(shù)據(jù)接口中的系統(tǒng)級穩(wěn)健性和鉗位性能。

7A2000橋片首次集成龍芯自研的統(tǒng)一渲染架構(gòu)GPU模塊，核心頻率400-500MHz，API圖形接口支持OpenGL 2.1、OpenGL ES 2.0。

RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負(fù)載開關(guān)和電池管理效率。其卓越的性能還表現(xiàn)在自發(fā)熱降低，從而增強可穿戴設(shè)備的用戶舒適度。

在VGS=4.5V時，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。

因此，在市場上類似的30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE單個芯片面積導(dǎo)通電阻最低。此外，PMCB60XNE在集成于1.0mm×0.6mm×0.2mm的DSN1006小型外形中，還可提供額定2kV ESD保護(hù)（人體模型–HBM）。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達(dá)4A。