eGaN FET和集成電路提高了48V/12V轉(zhuǎn)換器的功率密度，并滿足了數(shù)據(jù)中心對于小尺寸、更高功率的應(yīng)用需求。Microchip數(shù)字控制器使得EPC9149演示板可靈活地進行編程和配置。

EPC9149發(fā)貨時隨附主板以簡化測試，增強型氮化鎵(eGaN®)的功率管理器件，氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)(LiDAR）、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅(qū)動器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。

此外，擴大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。

這種電阻廣泛用于電視機、電子儀表、電飯煲等,起過流保護或過熱保護等作用。熔斷電阻的外形多種多樣,瞧,這些都是熔斷電阻。

熔斷龜阻的標(biāo)識一般有二種。第一種標(biāo)出限值(采用直標(biāo)或色環(huán)標(biāo)出),這種熔斷電限的外形與普通固定電阻沒有什么兩樣,但其阻值往往很小(常在10Ω以下);第二種標(biāo)出限值和熔斷電流,當(dāng)流過它的電流超過熔斷電流時,熔斷電阻會立即熔斷;第二種標(biāo)出阻值和熔斷攝度(如105°C等),當(dāng)溫度達(dá)到熔斷溫度時,熔斷電阻會立即熔斷。

熔斷電眼的檢測方法與普通電限的相同, 由于熔斷電限的限值較小,敬一般使用萬用表的低量程(如1或10)進行測量。測量時,若表針不偏轉(zhuǎn),說明熔斷電阻器燒斷;若表針大幅度偏轉(zhuǎn),說明正常。

電容器的容遢單位為法拉第,簡稱法,用F表示。如果一個電容器在1伏電壓的作用下能儲存的電荷為1庫侖,我們就說該電容器的容量為1法。法這個單位太大,在計量電容的容量時,常用比法更小的單位,如毫法(MF)、微法(UF)、納法(nF)、皮法(PF)等,這些單位之間的換算關(guān)系如下：

1F=lO3mF, 1mf=103uF luF=lO3nF, 1nF=103pr

1F=1033mF=106uF=109nF=1012pF