QRF有源鉗位反激模式或LLC諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)150W或低功率應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2022/10/28 8:59:10 訪問次數(shù):104
TP65H300G4LSG是一款240毫歐、通過JEDEC認(rèn)證的PQFN88表面貼裝器件,具有±18V柵極安全裕度。FET是建立在QRF、有源鉗位反激模式(ACF)或LLC諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)上的150W或以下低功率應(yīng)用的理想選擇。
Transphorm的TP65H300G4LSG具有與硅類似的閾值水平和高柵極擊穿電壓(最大±18 V)。
BR100系列采用7nm制程,集成770億晶體管,基于壁仞科技自主原創(chuàng)的芯片架構(gòu)開發(fā),采用Chiplet(芯粒)、2.5D CoWoS等先進(jìn)的設(shè)計(jì)、制造與封裝技術(shù),可搭配64GB HBM2E顯存,超300MB片上緩存,支持PCIe 5.0、CXL互聯(lián)協(xié)議等。
性能方面,1024 TOPS INT8、512 TFLOPS BF16、256 TFLOPS TF32+、128 TFLOPS FP32,可實(shí)現(xiàn)2.3TB/s外部I/O帶寬,支持64路編碼、512路解碼等,號(hào)稱在FP32(單精度浮點(diǎn))、INT8(整數(shù),常用于人工智能推理)等維度.
接口方面,T830支持3個(gè)PCI-Express、USB 3.2、速率高達(dá)10GbE的兩個(gè)USXGMII接口,并通過PCM/SPI接口支持RJ11電話線。
晶棧(Xtacking)3.0技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070。
相比上一代產(chǎn)品,X3-9070可實(shí)現(xiàn)2400MT/s的I/O傳輸速率,符合ONFI5.0規(guī)范,實(shí)現(xiàn)了50%的性能提升。X3-9070也是存儲(chǔ)歷史上密度最高的是閃存顆粒,能夠在更小的單芯片中實(shí)現(xiàn)1Tb容量(128GB)。
最后X3-9070采用創(chuàng)新6-plane設(shè)計(jì),相比傳統(tǒng)4-plane,性能提升50%以上,同時(shí)功耗降低25%,能效比顯著提升,可降低用戶的總擁有成本。
T830內(nèi)置硬件級(jí)的聯(lián)發(fā)科網(wǎng)絡(luò)加速引擎和Wi-Fi網(wǎng)絡(luò)加速引擎,可在不增加CPU負(fù)載的前提下,為5G網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)揭蕴W(wǎng)或Wi-Fi提供千兆級(jí)的吞吐性能。T830還支持聯(lián)發(fā)科5G UltraSave省電技術(shù)以降低5G通信功耗。
TP65H300G4LSG是一款240毫歐、通過JEDEC認(rèn)證的PQFN88表面貼裝器件,具有±18V柵極安全裕度。FET是建立在QRF、有源鉗位反激模式(ACF)或LLC諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)上的150W或以下低功率應(yīng)用的理想選擇。
Transphorm的TP65H300G4LSG具有與硅類似的閾值水平和高柵極擊穿電壓(最大±18 V)。
BR100系列采用7nm制程,集成770億晶體管,基于壁仞科技自主原創(chuàng)的芯片架構(gòu)開發(fā),采用Chiplet(芯粒)、2.5D CoWoS等先進(jìn)的設(shè)計(jì)、制造與封裝技術(shù),可搭配64GB HBM2E顯存,超300MB片上緩存,支持PCIe 5.0、CXL互聯(lián)協(xié)議等。
性能方面,1024 TOPS INT8、512 TFLOPS BF16、256 TFLOPS TF32+、128 TFLOPS FP32,可實(shí)現(xiàn)2.3TB/s外部I/O帶寬,支持64路編碼、512路解碼等,號(hào)稱在FP32(單精度浮點(diǎn))、INT8(整數(shù),常用于人工智能推理)等維度.
接口方面,T830支持3個(gè)PCI-Express、USB 3.2、速率高達(dá)10GbE的兩個(gè)USXGMII接口,并通過PCM/SPI接口支持RJ11電話線。
晶棧(Xtacking)3.0技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070。
相比上一代產(chǎn)品,X3-9070可實(shí)現(xiàn)2400MT/s的I/O傳輸速率,符合ONFI5.0規(guī)范,實(shí)現(xiàn)了50%的性能提升。X3-9070也是存儲(chǔ)歷史上密度最高的是閃存顆粒,能夠在更小的單芯片中實(shí)現(xiàn)1Tb容量(128GB)。
最后X3-9070采用創(chuàng)新6-plane設(shè)計(jì),相比傳統(tǒng)4-plane,性能提升50%以上,同時(shí)功耗降低25%,能效比顯著提升,可降低用戶的總擁有成本。
T830內(nèi)置硬件級(jí)的聯(lián)發(fā)科網(wǎng)絡(luò)加速引擎和Wi-Fi網(wǎng)絡(luò)加速引擎,可在不增加CPU負(fù)載的前提下,為5G網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)揭蕴W(wǎng)或Wi-Fi提供千兆級(jí)的吞吐性能。T830還支持聯(lián)發(fā)科5G UltraSave省電技術(shù)以降低5G通信功耗。
熱門點(diǎn)擊
- 勻速轉(zhuǎn)動(dòng)的線圈產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢隨時(shí)間變化的函數(shù)
- 熱關(guān)斷和低壓鎖住(UVKO)(12V/8V)
- NPN型9013三極管焊裝可變電阻和光敏電阻
- 常開輔助觸點(diǎn)使得交流接觸器線圈通過其輔助觸點(diǎn)
- PureCel®Plus技術(shù)能夠減
- 觸電者因神經(jīng)收縮緊握帶電體接觸面積和接觸壓力
- 二極管在正向電壓作用下對電感器引腳間的阻值進(jìn)
- 三相異步電動(dòng)機(jī)全壓啟動(dòng)控制線路的電路結(jié)構(gòu)改進(jìn)
- 5V閾值電壓閾值噪聲容限反向恢復(fù)特性和ESD
- 損耗的大小主要與流過導(dǎo)線的電流和導(dǎo)線的電阻
推薦技術(shù)資料
- 基準(zhǔn)電壓的提供
- 開始的時(shí)候,想使用LM385作為基準(zhǔn),HIN202EC... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
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