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對(duì)稱氣隙設(shè)計(jì)使磁芯的磁通密度分布均勻提升磁飽和能力

發(fā)布時(shí)間:2022/10/28 13:15:14 訪問次數(shù):88



車規(guī)級(jí)功率電感VSRU27系列和VSHB0754T系列.VSRU27是采用扁平線圈與鐵氧體磁芯組合,復(fù)合型結(jié)構(gòu)一體成型工藝,目前兩款車規(guī)級(jí)功率電感均已通過AEC-Q200可靠性測(cè)試。

車規(guī)級(jí)大電流功率電感VSRU27系列采用扁平線圈繞組,能夠提供極低的直流和交流電阻,實(shí)現(xiàn)大功率,低溫升,讓產(chǎn)品的損耗降至最低。磁芯采用EE形結(jié)構(gòu),對(duì)稱氣隙設(shè)計(jì)使磁芯的磁通密度分布均勻,從而提升磁飽和能力,同時(shí)漏磁分布比較均勻,由漏磁產(chǎn)生的損耗也有所降低。

直流電阻范圍為0.46mΩ至1.92mΩ,工作溫度范圍為-55°C至150°C,并在產(chǎn)品底座上增加第三個(gè)焊接端子,有效提高抗振性能。


顯存搭檔DDR4,頻率2.0-2.4GHz,最大容量16GB。GPU模塊搭配獨(dú)立顯存,還可形成獨(dú)顯方案。

支持雙屏顯示,典型分辨率1080p60Hz,最高支持2K30Hz。

性能方面,glmark2可以超過300FPS,glxgears可以超過1800FPS,滿足桌面辦公需求是沒問題的。

功能方面,龍芯7A2000內(nèi)部集成了PCIe 3.0、SATA 3.0、USB 3.0/2.0、千兆網(wǎng)PHY、HDMI、I2C、UART、GPIO等接口,可為龍芯處理器提供豐富的南北橋功能。

其中,顯示接口升級(jí)為雙路HDMI、一路VGA,可直連顯示器,而內(nèi)置的網(wǎng)絡(luò)PHY物理層,可直接提供網(wǎng)口輸出。

PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號(hào)Trench MOSFET,該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí)DSN1006封裝,具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下,可使電力更為持久。


新型MOSFET非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品,迎合了更智能、功能更豐富的趨勢(shì),滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。

除了采用DSN1006封裝的這兩款MOSFET外,Nexperia還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS=4.5V時(shí)的最大RDS(on)為16mΩ,在0.96mm ×0.96mm×0.24mm(SOT8007)尺寸下可具備市場(chǎng)領(lǐng)先的效率。




車規(guī)級(jí)功率電感VSRU27系列和VSHB0754T系列.VSRU27是采用扁平線圈與鐵氧體磁芯組合,復(fù)合型結(jié)構(gòu)一體成型工藝,目前兩款車規(guī)級(jí)功率電感均已通過AEC-Q200可靠性測(cè)試。

車規(guī)級(jí)大電流功率電感VSRU27系列采用扁平線圈繞組,能夠提供極低的直流和交流電阻,實(shí)現(xiàn)大功率,低溫升,讓產(chǎn)品的損耗降至最低。磁芯采用EE形結(jié)構(gòu),對(duì)稱氣隙設(shè)計(jì)使磁芯的磁通密度分布均勻,從而提升磁飽和能力,同時(shí)漏磁分布比較均勻,由漏磁產(chǎn)生的損耗也有所降低。

直流電阻范圍為0.46mΩ至1.92mΩ,工作溫度范圍為-55°C至150°C,并在產(chǎn)品底座上增加第三個(gè)焊接端子,有效提高抗振性能。


顯存搭檔DDR4,頻率2.0-2.4GHz,最大容量16GB。GPU模塊搭配獨(dú)立顯存,還可形成獨(dú)顯方案。

支持雙屏顯示,典型分辨率1080p60Hz,最高支持2K30Hz。

性能方面,glmark2可以超過300FPS,glxgears可以超過1800FPS,滿足桌面辦公需求是沒問題的。

功能方面,龍芯7A2000內(nèi)部集成了PCIe 3.0、SATA 3.0、USB 3.0/2.0、千兆網(wǎng)PHY、HDMI、I2C、UART、GPIO等接口,可為龍芯處理器提供豐富的南北橋功能。

其中,顯示接口升級(jí)為雙路HDMI、一路VGA,可直連顯示器,而內(nèi)置的網(wǎng)絡(luò)PHY物理層,可直接提供網(wǎng)口輸出。

PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號(hào)Trench MOSFET,該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí)DSN1006封裝,具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下,可使電力更為持久。


新型MOSFET非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品,迎合了更智能、功能更豐富的趨勢(shì),滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。

除了采用DSN1006封裝的這兩款MOSFET外,Nexperia還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS=4.5V時(shí)的最大RDS(on)為16mΩ,在0.96mm ×0.96mm×0.24mm(SOT8007)尺寸下可具備市場(chǎng)領(lǐng)先的效率。


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