重定時(shí)器和信號(hào)中繼器是設(shè)計(jì)高速USB4接口常用的器件。它們需要電路板走線變更短，從而降低寄生電感，但也會(huì)意外地降低整體系統(tǒng)級(jí)ESD穩(wěn)健性。

PESD2V8Y1BSF和PESD4V0Y1BCSF較低的超快傳輸線路脈沖(vfTLP)峰值鉗位電壓，甚至低于標(biāo)準(zhǔn)I(V)TLP曲線中無明顯的觸發(fā)電壓的USB4保護(hù)解決方案。這有助于補(bǔ)償保護(hù)器件和重定時(shí)器之間減少的電感，從而提高整體系統(tǒng)級(jí)ESD穩(wěn)健性。

為達(dá)到ESD的預(yù)算損耗建議值，這兩款器件均可提供超低插入損耗（10GHz下為-0.29dB）和回波損耗（10GHz下為-20.6dB）。

與其他解決方案不同的是，電容不會(huì)隨工作電壓增加，可提供完整的RF性能直到反向截止電壓。

電平轉(zhuǎn)換器系列的新晉產(chǎn)品：NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可實(shí)現(xiàn)下一代低壓手機(jī)基帶處理器與用戶身份模塊(SIM)卡的無縫連接。

隨著處理器的幾何尺寸向個(gè)位數(shù)納米節(jié)點(diǎn)發(fā)展，先進(jìn)SOC的核心電壓也正逐漸下降。此發(fā)展趨勢(shì)導(dǎo)致對(duì)電壓轉(zhuǎn)換器的需求日益增加，以將SOC連接到其他標(biāo)準(zhǔn)處理設(shè)備和I/O端口（如傳統(tǒng)的Class B和Class C SIM卡）。

以上工作范圍讓這兩款器件能夠適配傳統(tǒng)的Class B(3.0V±10%)和Class C(1.8V ±10%)的電壓等級(jí)，同時(shí)還能保持與未來SIM卡接口標(biāo)準(zhǔn)的電壓等級(jí)(1.2V±10%)相兼容。

升級(jí)版的40-297A(I)和新品42-297A(Ie)模塊現(xiàn)在能提供更多的分辨率選擇 —— 0.125Ω、0.25 Ω、0.5Ω、1Ω、2Ω、4Ω和8Ω，其中一種6通道模塊的電阻范圍提高至85.3MΩ，設(shè)定準(zhǔn)確度現(xiàn)在為±0.1%±分辨率(原系列為±0.2%±分辨率)。

這些新增的模塊使我們的仿真產(chǎn)品相比以前能夠適用于更多的應(yīng)用。

2端口和4端口兩種型號(hào)，可配置2.4毫米或2.92毫米兩種連接器類型。同時(shí)，它提供輸出功率范圍擴(kuò)展和第二個(gè)內(nèi)置信號(hào)源選件。R&S ZNB43非常適合濾波器、耦合器和開關(guān)等無源器件的測(cè)試。當(dāng)配備第二個(gè)內(nèi)置信號(hào)源時(shí)，可成為測(cè)量混頻器和放大器等有源器件的多功能儀表。

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