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智能手機前攝后置主攝及后置輔攝應(yīng)用提供優(yōu)異的成像性能

發(fā)布時間:2022/11/2 21:33:49 訪問次數(shù):116

ULTEM 3473樹脂在產(chǎn)品性能、加工與裝配過程中都更具優(yōu)勢。采用這款適用表面貼裝技術(shù)(SMT)的新型樹脂生產(chǎn)的零配件可以在裝配過程中承受高達(dá)260°C的極端短期高溫。

由于ULTEM 3473樹脂具有類似于金屬的熱膨脹系數(shù)(CTE),因而在-40°C至150°C的寬廣工作溫度范圍內(nèi)均能提供長期尺寸穩(wěn)定性。

這款材料的尺寸穩(wěn)定性也有助于通過最大限度地減少在這些溫度范圍內(nèi)的尺寸變化,來確保腔體濾波器信號過濾的一致性。根據(jù)SABIC的內(nèi)部測試,在溫度超過85°C到90°C的時候,低玻璃化轉(zhuǎn)化溫度的塑料材料的熱膨脹系數(shù)會顯著提高。

NSi1305是輸出數(shù)據(jù)與外部時鐘同步的隔離式Sigma-Delta調(diào)制器,時鐘下降沿有效,頻率范圍為5MHz至21MHz。NSi1305對應(yīng)的線性差分輸入信號范圍為±50mV(滿量程±64mV)或±250mV范圍(滿量程±320mV),±50mV輸入范圍對應(yīng)4.9k差分輸入阻抗,±250mV輸入范圍對應(yīng)22k差分輸入阻抗。

新一代 FlightSense™飛行時間 (ToF) 多區(qū)傳感器。該產(chǎn)品連同一套實用的軟件算法,構(gòu)成一套專為PC 市場設(shè)計的用戶檢測、手勢識別和闖入報警整體解決方案。

Cellphone Sensor(CS)Series手機應(yīng)用圖像傳感器產(chǎn)品SC520CS與SC820CS。

兩款新品均采用12英寸晶圓工藝打造,搭載思特威創(chuàng)新的SFCPixel®專利技術(shù)與超低噪聲外圍讀取電路技術(shù),作為思特威自研先進BSI工藝平臺首批落地量產(chǎn)的產(chǎn)品,通過該平臺晶圓鍵合技術(shù)、晶圓減薄技術(shù)以及硅表面鈍化技術(shù)三大關(guān)鍵工藝技術(shù),可為當(dāng)下智能手機前攝、后置主攝以及后置輔攝應(yīng)用提供優(yōu)異的成像性能。

PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET,該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝,具有市場領(lǐng)先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續(xù)航運行至關(guān)重要的情況下,可使電力更為持久。


來源:eepw.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考

ULTEM 3473樹脂在產(chǎn)品性能、加工與裝配過程中都更具優(yōu)勢。采用這款適用表面貼裝技術(shù)(SMT)的新型樹脂生產(chǎn)的零配件可以在裝配過程中承受高達(dá)260°C的極端短期高溫。

由于ULTEM 3473樹脂具有類似于金屬的熱膨脹系數(shù)(CTE),因而在-40°C至150°C的寬廣工作溫度范圍內(nèi)均能提供長期尺寸穩(wěn)定性。

這款材料的尺寸穩(wěn)定性也有助于通過最大限度地減少在這些溫度范圍內(nèi)的尺寸變化,來確保腔體濾波器信號過濾的一致性。根據(jù)SABIC的內(nèi)部測試,在溫度超過85°C到90°C的時候,低玻璃化轉(zhuǎn)化溫度的塑料材料的熱膨脹系數(shù)會顯著提高。

NSi1305是輸出數(shù)據(jù)與外部時鐘同步的隔離式Sigma-Delta調(diào)制器,時鐘下降沿有效,頻率范圍為5MHz至21MHz。NSi1305對應(yīng)的線性差分輸入信號范圍為±50mV(滿量程±64mV)或±250mV范圍(滿量程±320mV),±50mV輸入范圍對應(yīng)4.9k差分輸入阻抗,±250mV輸入范圍對應(yīng)22k差分輸入阻抗。

新一代 FlightSense™飛行時間 (ToF) 多區(qū)傳感器。該產(chǎn)品連同一套實用的軟件算法,構(gòu)成一套專為PC 市場設(shè)計的用戶檢測、手勢識別和闖入報警整體解決方案。

Cellphone Sensor(CS)Series手機應(yīng)用圖像傳感器產(chǎn)品SC520CS與SC820CS。

兩款新品均采用12英寸晶圓工藝打造,搭載思特威創(chuàng)新的SFCPixel®專利技術(shù)與超低噪聲外圍讀取電路技術(shù),作為思特威自研先進BSI工藝平臺首批落地量產(chǎn)的產(chǎn)品,通過該平臺晶圓鍵合技術(shù)、晶圓減薄技術(shù)以及硅表面鈍化技術(shù)三大關(guān)鍵工藝技術(shù),可為當(dāng)下智能手機前攝、后置主攝以及后置輔攝應(yīng)用提供優(yōu)異的成像性能。

PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET,該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝,具有市場領(lǐng)先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續(xù)航運行至關(guān)重要的情況下,可使電力更為持久。


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