模塊向外發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)管腳485CR輸出高電平時(shí)輸出低電平
發(fā)布時(shí)間:2022/11/9 8:59:12 訪問(wèn)次數(shù):446
VM系列模塊提供全雙工串行TTL電平的UART接口以及基于TTL擴(kuò)展的RS232或RS485接口，默認(rèn)端口設(shè)置為“9600,N,8,1” ， 并支持由軟件修改為9600~460800bps通訊速率。
UART的TTL電平邏輯高為VDD，邏輯低為GND， 與非3.3V單片機(jī)進(jìn)行連接時(shí)，要注意邏輯電平的轉(zhuǎn)換。TXD為強(qiáng)推挽輸出管腳， RXD為輸入管腳。管腳485CR為數(shù)據(jù)收發(fā)指示管腳， 模塊向外發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)管腳485CR輸出高電平（ 強(qiáng)推挽），非發(fā)送時(shí)輸出低電平。
利用這一邏輯特性， 當(dāng)在UART外部連接 RS485電平轉(zhuǎn)換芯片時(shí)，發(fā)送指示管腳可作為半雙工485芯片的收發(fā)控制管腳使用。
注： 當(dāng)模塊為RS485接口版本時(shí)， 485CR管腳已在模塊內(nèi)部連接到了485芯片（ VM511、VM614、 VM618、 VM704S）。
例如，如果主機(jī)系統(tǒng)在相同的位址更新數(shù)據(jù)，F(xiàn)TL會(huì)將該邏輯位址轉(zhuǎn)換為新的物理位址，以便在快閃存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)器上均勻地分布磨損，大幅度地提高耐用性。
FTL映射邏輯到物理位址的粒度對(duì)性能和耐久性都有很大的影響。消費(fèi)類(lèi)USB和SD卡等較簡(jiǎn)單的快閃存儲(chǔ)器介質(zhì)使用基于區(qū)塊的映射，在區(qū)塊層級(jí)(大小為百萬(wàn)位元)執(zhí)行映射。由于每個(gè)邏輯頁(yè)面都直接映射到固定的物理頁(yè)面，磨損平衡發(fā)生在區(qū)塊層級(jí)，因而在頁(yè)面層級(jí)無(wú)法產(chǎn)生優(yōu)化。
這組開(kāi)關(guān)由三根引線選擇：讀控制端、寫(xiě)控制端和片選端。要將數(shù)據(jù)寫(xiě)入片中，先選中該片，然后發(fā)出寫(xiě)信號(hào)，開(kāi)關(guān)就合上了，并將傳過(guò)來(lái)的數(shù)據(jù)(電荷)寫(xiě)入片中。如果要讀，先選中該片，然后發(fā)出讀信號(hào)，開(kāi)關(guān)合上，數(shù)據(jù)就被送出去了。
門(mén)電路的厚度是一定的，它需要多于10V的供電，CMOS邏輯門(mén)需要1V或更少。這種縮小通常被成為摩爾定律，存儲(chǔ)器每縮小一代其密集程度提高一倍。隨著存儲(chǔ)單元的縮小，GST材料的體積也在縮小，這使得PCM具有縮放性。
來(lái)源：21IC.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考
VM系列模塊提供全雙工串行TTL電平的UART接口以及基于TTL擴(kuò)展的RS232或RS485接口，默認(rèn)端口設(shè)置為“9600,N,8,1” ， 并支持由軟件修改為9600~460800bps通訊速率。
UART的TTL電平邏輯高為VDD，邏輯低為GND， 與非3.3V單片機(jī)進(jìn)行連接時(shí)，要注意邏輯電平的轉(zhuǎn)換。TXD為強(qiáng)推挽輸出管腳， RXD為輸入管腳。管腳485CR為數(shù)據(jù)收發(fā)指示管腳， 模塊向外發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)管腳485CR輸出高電平（ 強(qiáng)推挽），非發(fā)送時(shí)輸出低電平。
利用這一邏輯特性， 當(dāng)在UART外部連接 RS485電平轉(zhuǎn)換芯片時(shí)，發(fā)送指示管腳可作為半雙工485芯片的收發(fā)控制管腳使用。
注： 當(dāng)模塊為RS485接口版本時(shí)， 485CR管腳已在模塊內(nèi)部連接到了485芯片（ VM511、VM614、 VM618、 VM704S）。
例如，如果主機(jī)系統(tǒng)在相同的位址更新數(shù)據(jù)，F(xiàn)TL會(huì)將該邏輯位址轉(zhuǎn)換為新的物理位址，以便在快閃存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)器上均勻地分布磨損，大幅度地提高耐用性。
FTL映射邏輯到物理位址的粒度對(duì)性能和耐久性都有很大的影響。消費(fèi)類(lèi)USB和SD卡等較簡(jiǎn)單的快閃存儲(chǔ)器介質(zhì)使用基于區(qū)塊的映射，在區(qū)塊層級(jí)(大小為百萬(wàn)位元)執(zhí)行映射。由于每個(gè)邏輯頁(yè)面都直接映射到固定的物理頁(yè)面，磨損平衡發(fā)生在區(qū)塊層級(jí)，因而在頁(yè)面層級(jí)無(wú)法產(chǎn)生優(yōu)化。
這組開(kāi)關(guān)由三根引線選擇：讀控制端、寫(xiě)控制端和片選端。要將數(shù)據(jù)寫(xiě)入片中，先選中該片，然后發(fā)出寫(xiě)信號(hào)，開(kāi)關(guān)就合上了，并將傳過(guò)來(lái)的數(shù)據(jù)(電荷)寫(xiě)入片中。如果要讀，先選中該片，然后發(fā)出讀信號(hào)，開(kāi)關(guān)合上，數(shù)據(jù)就被送出去了。
門(mén)電路的厚度是一定的，它需要多于10V的供電，CMOS邏輯門(mén)需要1V或更少。這種縮小通常被成為摩爾定律，存儲(chǔ)器每縮小一代其密集程度提高一倍。隨著存儲(chǔ)單元的縮小，GST材料的體積也在縮小，這使得PCM具有縮放性。
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