PCM讀取反應(yīng)時間與最小單元一比特的NOR閃存相當，而它的的帶寬可以媲美DRAM。相對的，NAND閃存因隨機存儲時間長達幾十微秒，無法完成代碼的直接執(zhí)行。

PCM能夠達到如同NAND的寫入速度,但是PCM的反應(yīng)時間更短,且無需單獨的擦除步驟。

NOR閃存具有穩(wěn)定的寫入速度，但是擦除時間較長。PCM同RAM一樣無需單獨擦除步驟，但是寫入速度(帶寬和反應(yīng)時間)不及RAM。隨著PCM技術(shù)的不斷發(fā)展，存儲單元縮減，PCM將不斷被完善。

縮放比例是PCM的第五個不同點。NOR和NAND存儲器的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致存儲器很難縮小體型。

這不僅會增大誤碼率，而且降低使用壽命。隨著光刻制程尺寸的減小，快閃存儲器密度會進一步提高，錯誤率也會增大。

高級控制器技術(shù)提升可靠度盡管快閃存儲器儲存可靠性面臨著上述挑戰(zhàn)，但我們?nèi)匀荒軌驅(qū)⑵溆糜谌粘５南M類、商業(yè)類甚至關(guān)鍵任務(wù)性的應(yīng)用，這方面主要得益于先進的快閃存儲器控制器技術(shù)。這些控制器結(jié)合了在磨損平衡、電源故障管理和糾錯等方面的先進技術(shù)，使我們能夠安全可靠地使用當今的高密度快閃存儲器。

ModusToolbox™3.0開發(fā)平臺兼容，可助力開發(fā)者以此為基礎(chǔ)面向各種應(yīng)用場景獲得獨特的開發(fā)體驗，包括消費物聯(lián)網(wǎng)、汽車人機交互（HMI）、工業(yè)、智能家居、可穿戴設(shè)備等應(yīng)用。

除了PSoC 4之外，ModusToolbox 3.0開發(fā)平臺還能夠兼容使用PSoC 6、XMC™、AIROC™Wi-Fi、AIROC Bluetooth®和EZ-PD™ PMG1微控制器等產(chǎn)品的嵌入式應(yīng)用。

二極管的符號和編號,二極管一般用字母D、VD等表示。除了穩(wěn)壓二極管,常用的二極管還有整流二極管、開關(guān)二極管、檢波二極管、快恢復(fù)二極管、發(fā)光二極管等。二極管的符號和編號。