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電壓級別中更穩(wěn)健超結(jié)MOSFET適用于目標(biāo)應(yīng)用中拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

發(fā)布時間:2022/11/9 13:16:34 訪問次數(shù):135

在電力采集系統(tǒng)中,為了避免主站和電力采集終端通信時,報文所占空間太大導(dǎo)致通信信道阻塞以及主站或電力采集終端報文處理不及時,同時也是為了避免完整的信息泄露,需要在建立應(yīng)用連接時,規(guī)定單次發(fā)送報文的最大字節(jié)數(shù)。

在請求服務(wù)中多重引用屬性時,其服務(wù)參數(shù)編碼形式的長度不能超過單次發(fā)送報文的最大字節(jié)數(shù)。

分幀傳輸分為鏈路層分幀和應(yīng)用層分幀,其中應(yīng)用層分幀僅支持針對請求服務(wù)的應(yīng)答分幀,鏈路層分幀支持所有的應(yīng)用層服務(wù)。

而鏈路層分幀的每一個片段不可自解析,需要接收到所有的片段之后組成完整的698報文才能解析處理。

鋁電解電容采用固態(tài)導(dǎo)電高分子材料取代電解液作為陰極,取得了革新性發(fā)展。

導(dǎo)電高分子材料的導(dǎo)電能力通常要比電解液高2~3個數(shù)量級,應(yīng)用于鋁電解電容可以大大降低ESR、改善溫度頻率特性;并且由于高分子材料的可加工性能良好,易于包封,極大地促進(jìn)了鋁電解電容的片式化發(fā)展。

有機半導(dǎo)體鋁電解電容的結(jié)構(gòu)與液態(tài)鋁電解電容相似,多采用直插立式封裝方式。不同之處在于固態(tài)鋁聚合物電解電容的陰極材料用固態(tài)的有機半導(dǎo)體浸膏替代電解液,在提高各項電氣性能的同時有效解決了電解液蒸發(fā)、泄漏、易燃等難題。

新產(chǎn)品系列適用于反激式、PFC和LLC/LCC設(shè)計,包括使電源換向變得穩(wěn)定而可靠的半橋或全橋配置。

通過集成具有超低反向恢復(fù)電荷(Qrr)的超快速體二極管,該系列產(chǎn)品實現(xiàn)了硬換向的穩(wěn)健性和可靠性,并成為該電壓級別中更穩(wěn)健的超結(jié)MOSFET,可適用于目標(biāo)應(yīng)用中的所有拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

此外,開關(guān)損耗(EOSS、QOSS和Qg)的大幅降低也提高了硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用的使用效率,與900超結(jié)MOSFET相比,MOSFET溫度最高可降低4開爾文。

相較以前,新產(chǎn)品更為綠色環(huán)保,其輕載和滿載PFC效率提高了0.2%以上,同時可滿足LLC效率要求。

來源:21IC.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考



在電力采集系統(tǒng)中,為了避免主站和電力采集終端通信時,報文所占空間太大導(dǎo)致通信信道阻塞以及主站或電力采集終端報文處理不及時,同時也是為了避免完整的信息泄露,需要在建立應(yīng)用連接時,規(guī)定單次發(fā)送報文的最大字節(jié)數(shù)。

在請求服務(wù)中多重引用屬性時,其服務(wù)參數(shù)編碼形式的長度不能超過單次發(fā)送報文的最大字節(jié)數(shù)。

分幀傳輸分為鏈路層分幀和應(yīng)用層分幀,其中應(yīng)用層分幀僅支持針對請求服務(wù)的應(yīng)答分幀,鏈路層分幀支持所有的應(yīng)用層服務(wù)。

而鏈路層分幀的每一個片段不可自解析,需要接收到所有的片段之后組成完整的698報文才能解析處理。

鋁電解電容采用固態(tài)導(dǎo)電高分子材料取代電解液作為陰極,取得了革新性發(fā)展。

導(dǎo)電高分子材料的導(dǎo)電能力通常要比電解液高2~3個數(shù)量級,應(yīng)用于鋁電解電容可以大大降低ESR、改善溫度頻率特性;并且由于高分子材料的可加工性能良好,易于包封,極大地促進(jìn)了鋁電解電容的片式化發(fā)展。

有機半導(dǎo)體鋁電解電容的結(jié)構(gòu)與液態(tài)鋁電解電容相似,多采用直插立式封裝方式。不同之處在于固態(tài)鋁聚合物電解電容的陰極材料用固態(tài)的有機半導(dǎo)體浸膏替代電解液,在提高各項電氣性能的同時有效解決了電解液蒸發(fā)、泄漏、易燃等難題。

新產(chǎn)品系列適用于反激式、PFC和LLC/LCC設(shè)計,包括使電源換向變得穩(wěn)定而可靠的半橋或全橋配置。

通過集成具有超低反向恢復(fù)電荷(Qrr)的超快速體二極管,該系列產(chǎn)品實現(xiàn)了硬換向的穩(wěn)健性和可靠性,并成為該電壓級別中更穩(wěn)健的超結(jié)MOSFET,可適用于目標(biāo)應(yīng)用中的所有拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

此外,開關(guān)損耗(EOSS、QOSS和Qg)的大幅降低也提高了硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用的使用效率,與900超結(jié)MOSFET相比,MOSFET溫度最高可降低4開爾文。

相較以前,新產(chǎn)品更為綠色環(huán)保,其輕載和滿載PFC效率提高了0.2%以上,同時可滿足LLC效率要求。

來源:21IC.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考



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