新一代1200V碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常適用于主流的800V總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC太陽能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。

第四代器件擴(kuò)充了1200V產(chǎn)品系列，為工程師將總線設(shè)計電壓提高到800V提供了有力支持。在電動汽車中，這種電壓升高無法避免；這些新器件支持四種不同的RDS(on)(漏源導(dǎo)通電阻)等級，有助于設(shè)計師為每項設(shè)計選擇合適的SiC器件。

這兩款驅(qū)動器均包含有內(nèi)置電流感測功能，無需外部電流感測電阻器，并將所需的外部組件數(shù)量可減少至七個，所集成的診斷功能也可不再需要附加微處理器編程和其它附加電路。

設(shè)計人員可將所需功能集成到更小的系統(tǒng)空間，減小材料清單(BOM)和印刷電路板尺寸，同時提高性能，并改善消費(fèi)者體驗。

兩款產(chǎn)品都能夠提供50V的絕對最大電源電壓，在低VBB下可提供更高的柵極驅(qū)動電壓，并在使用電池供電時能夠提供更高的效率，從而允許設(shè)計人員采用較低成本的FET。這些器件還可以在待機(jī)狀態(tài)下降低電流消耗，以降低總電池負(fù)載。

SCALE EV具備完善的保護(hù)措施，集成了主動短路、對所連接直流母線電容的主動放電、通過主動門極控制實現(xiàn)過壓限制，以及門極監(jiān)測、信號傳輸監(jiān)測和芯片內(nèi)溫度監(jiān)測等診斷功能，對于SiC MOSFET開關(guān)的短路和過流響應(yīng)時間小于1微秒，而IGBT開關(guān)的短路和過流響應(yīng)時間小于3微秒。

通過兩個兩個連接器，分別為上管和下管提供驅(qū)動信號。當(dāng)遇到突發(fā)情況，兩個連接器同時出現(xiàn)故障的概率會減少很多，這樣就能保證始終有一個半橋保持連通。