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電容充放電性能直接影響到微處理器供電電路的退藕性能

發(fā)布時間:2022/11/9 13:29:44 訪問次數(shù):154

固態(tài)鋁電解電容具有極長的使用壽命(使用壽命超過50年)。與液態(tài)鋁電解電容相比,可以算作“長命百歲”了。它不會被擊穿,也不必擔心液態(tài)電解質(zhì)干涸以及外泄影響主板穩(wěn)定性。由于沒有液態(tài)電解質(zhì)諸多問題的困擾,固態(tài)鋁電解電容使主板更加穩(wěn)定可靠。

固態(tài)的電解質(zhì)在高熱環(huán)境下不會像液態(tài)電解質(zhì)那樣蒸發(fā)膨脹,甚至燃燒。即使電容的溫度超過其耐受極限,固態(tài)電解質(zhì)僅僅是熔化,這樣不會引發(fā)電容金屬外殼爆裂,因而十分安全。

工作溫度直接影響到電解電容的壽命,固態(tài)電解電容與液態(tài)電解電容在不同溫度環(huán)境下壽命明顯較長。

ESR越低,電容充放電的速度越快,這個性能直接影響到微處理器供電電路的退藕性能,在高頻電路中固態(tài)電解電容的低ESR特性的優(yōu)勢更加明顯。

遺傳模擬退火算法對BP網(wǎng)絡(luò)的權(quán)重進行修正,提升BP網(wǎng)絡(luò)的預(yù)測效果,改善網(wǎng)絡(luò)陷入局部最小值的問題。陳先飛等人通過構(gòu)建多變量灰色遺傳的中長期預(yù)測模型,顯著提升了預(yù)測準確度。

基于數(shù)據(jù)的聚類法進行預(yù)測,避免了復(fù)雜的調(diào)參過程,提升了預(yù)測的效率。吳耀武等人采用Dempster合成法與yager組合規(guī)則,提出了基于改進證據(jù)理論的預(yù)測模型。

為了改進BP網(wǎng)絡(luò)初始權(quán)重和閾值難以確定導(dǎo)致的模型預(yù)測精度較低的問題,可以采用蟻群算法(ACO)進行尋優(yōu),但蟻群算法同樣可能由于信息素更新問題陷入局部最優(yōu)或訓(xùn)練時間過長。

新產(chǎn)品系列降低了各種采用SMD封裝和THD封裝的器件的導(dǎo)通電阻(RDS(on))值,最高可降低55%,例如DPAK封裝中器件的導(dǎo)通電阻值為450mΩ或TO247封裝中器件的導(dǎo)通電阻值為60mΩ。

設(shè)計人員可通過減小封裝尺寸、大幅提高功率密度并節(jié)省電路板空間,降低BOM成本和生產(chǎn)成本。

其柵極-源極閾值電壓(V(GS),th)為3V,V(GS),th最低變化范圍為±0.5V,可方便新器件的設(shè)計導(dǎo)入和驅(qū)動,提高了設(shè)計自由度;利用低閾值電壓和容差可避免使用MOSFET線性模式,降低了驅(qū)動電壓和閑置損耗。


來源:21IC.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考

固態(tài)鋁電解電容具有極長的使用壽命(使用壽命超過50年)。與液態(tài)鋁電解電容相比,可以算作“長命百歲”了。它不會被擊穿,也不必擔心液態(tài)電解質(zhì)干涸以及外泄影響主板穩(wěn)定性。由于沒有液態(tài)電解質(zhì)諸多問題的困擾,固態(tài)鋁電解電容使主板更加穩(wěn)定可靠。

固態(tài)的電解質(zhì)在高熱環(huán)境下不會像液態(tài)電解質(zhì)那樣蒸發(fā)膨脹,甚至燃燒。即使電容的溫度超過其耐受極限,固態(tài)電解質(zhì)僅僅是熔化,這樣不會引發(fā)電容金屬外殼爆裂,因而十分安全。

工作溫度直接影響到電解電容的壽命,固態(tài)電解電容與液態(tài)電解電容在不同溫度環(huán)境下壽命明顯較長。

ESR越低,電容充放電的速度越快,這個性能直接影響到微處理器供電電路的退藕性能,在高頻電路中固態(tài)電解電容的低ESR特性的優(yōu)勢更加明顯。

遺傳模擬退火算法對BP網(wǎng)絡(luò)的權(quán)重進行修正,提升BP網(wǎng)絡(luò)的預(yù)測效果,改善網(wǎng)絡(luò)陷入局部最小值的問題。陳先飛等人通過構(gòu)建多變量灰色遺傳的中長期預(yù)測模型,顯著提升了預(yù)測準確度。

基于數(shù)據(jù)的聚類法進行預(yù)測,避免了復(fù)雜的調(diào)參過程,提升了預(yù)測的效率。吳耀武等人采用Dempster合成法與yager組合規(guī)則,提出了基于改進證據(jù)理論的預(yù)測模型。

為了改進BP網(wǎng)絡(luò)初始權(quán)重和閾值難以確定導(dǎo)致的模型預(yù)測精度較低的問題,可以采用蟻群算法(ACO)進行尋優(yōu),但蟻群算法同樣可能由于信息素更新問題陷入局部最優(yōu)或訓(xùn)練時間過長。

新產(chǎn)品系列降低了各種采用SMD封裝和THD封裝的器件的導(dǎo)通電阻(RDS(on))值,最高可降低55%,例如DPAK封裝中器件的導(dǎo)通電阻值為450mΩ或TO247封裝中器件的導(dǎo)通電阻值為60mΩ。

設(shè)計人員可通過減小封裝尺寸、大幅提高功率密度并節(jié)省電路板空間,降低BOM成本和生產(chǎn)成本。

其柵極-源極閾值電壓(V(GS),th)為3V,V(GS),th最低變化范圍為±0.5V,可方便新器件的設(shè)計導(dǎo)入和驅(qū)動,提高了設(shè)計自由度;利用低閾值電壓和容差可避免使用MOSFET線性模式,降低了驅(qū)動電壓和閑置損耗。


來源:21IC.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考

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