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數(shù)字交錯式72kHz升壓PFC級穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓幅值

發(fā)布時間:2022/11/16 13:25:24 訪問次數(shù):319



MCU還將提供時鐘保護(hù),包括兩個精度高于1%的片上振蕩器,以及看門狗和時鐘故障檢測電路。

具有數(shù)字交錯式PFC、適用于空調(diào)的雙電機(jī)控制參考設(shè)計提供了單個64引腳C2000 TMS320F2800137 MCU的硬件和軟件示例,該MCU以>97%的效率控制壓縮機(jī)和風(fēng)扇電機(jī),具有數(shù)字交錯式72kHz升壓PFC級,提供>96%的電源效率以及諸多常見的系統(tǒng)和通信功能。  


EK-STM32F開發(fā)評估板測量STM32F103VBT6在各種模式下的功耗。例子中演示了如何進(jìn)入STM32的各種模式(RUN、SLEEP、STOP、STANDBY),使用這個例子您可以通過EK-STM32F板上的紅色跳線(VDD、VREF+和VDDA)測量功耗。



沒有斷電的情況下再跑這個程序,由于看到bake up區(qū)域有被設(shè)置過時間的標(biāo)志,不再進(jìn)入時間設(shè)置階段,而是直接到時間顯示間斷,在超級終端上,每秒刷新。


當(dāng)然如果在EK-STM32F板子上將Vbat和電池相接,具體就是:將紅色的電源跳線帽中的從下往上數(shù)的第5個取下,從原來的水平放置改成豎直放置(和上面的VBAT相連)。

就算斷電,只要再上電,看到back up區(qū)域中的記號,一樣直接進(jìn)入時間顯示。因為斷電后,back up區(qū)域由電池供電,其中記錄的記號不會由于系統(tǒng)掉電而消失。

當(dāng)使用5V電源,這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be只有0.7V左右的壓降,導(dǎo)致實際最終加載gate上的電壓只有4.3V,這時候,我們選用標(biāo)稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險。同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。


輸入電壓并不是一個固定值,它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動電壓是不穩(wěn)定的。

為了讓MOS管在高gate電壓下安全,很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下,當(dāng)提供的驅(qū)動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓,就會引起較大的靜態(tài)功耗。

同時,如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓,就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候,MOS管工作良好,而輸入電壓降低的時候gate電壓不足,引起導(dǎo)通不夠徹底,從而增加功耗。

來源:eechina.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考



MCU還將提供時鐘保護(hù),包括兩個精度高于1%的片上振蕩器,以及看門狗和時鐘故障檢測電路。

具有數(shù)字交錯式PFC、適用于空調(diào)的雙電機(jī)控制參考設(shè)計提供了單個64引腳C2000 TMS320F2800137 MCU的硬件和軟件示例,該MCU以>97%的效率控制壓縮機(jī)和風(fēng)扇電機(jī),具有數(shù)字交錯式72kHz升壓PFC級,提供>96%的電源效率以及諸多常見的系統(tǒng)和通信功能。  


EK-STM32F開發(fā)評估板測量STM32F103VBT6在各種模式下的功耗。例子中演示了如何進(jìn)入STM32的各種模式(RUN、SLEEP、STOP、STANDBY),使用這個例子您可以通過EK-STM32F板上的紅色跳線(VDD、VREF+和VDDA)測量功耗。



沒有斷電的情況下再跑這個程序,由于看到bake up區(qū)域有被設(shè)置過時間的標(biāo)志,不再進(jìn)入時間設(shè)置階段,而是直接到時間顯示間斷,在超級終端上,每秒刷新。


當(dāng)然如果在EK-STM32F板子上將Vbat和電池相接,具體就是:將紅色的電源跳線帽中的從下往上數(shù)的第5個取下,從原來的水平放置改成豎直放置(和上面的VBAT相連)。

就算斷電,只要再上電,看到back up區(qū)域中的記號,一樣直接進(jìn)入時間顯示。因為斷電后,back up區(qū)域由電池供電,其中記錄的記號不會由于系統(tǒng)掉電而消失。

當(dāng)使用5V電源,這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be只有0.7V左右的壓降,導(dǎo)致實際最終加載gate上的電壓只有4.3V,這時候,我們選用標(biāo)稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險。同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。


輸入電壓并不是一個固定值,它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動電壓是不穩(wěn)定的。

為了讓MOS管在高gate電壓下安全,很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下,當(dāng)提供的驅(qū)動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓,就會引起較大的靜態(tài)功耗。

同時,如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓,就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候,MOS管工作良好,而輸入電壓降低的時候gate電壓不足,引起導(dǎo)通不夠徹底,從而增加功耗。

來源:eechina.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考

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