Micro LED被譽為新時代顯示技術，但目前仍面臨關鍵技術、良率、和成本的挑戰(zhàn)。

微米級的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝，邁入類IC制程。相對其它競爭方案，大尺寸硅襯底氮化鎵（GaN）Micro LED技術在制程良率、圓晶成本、IC工藝兼容度等方面具有顯著優(yōu)勢，已成為業(yè)內公認的重要技術路線之一。

當前，Plessey、ALLOS 、STRATACACHE、Aledia、MICLEDI等國際企業(yè)都在專注于硅襯底Micro LED的開發(fā)。以晶能光電為產業(yè)界代表，硅襯底Micro LED技術開發(fā)同樣匯聚了強大的推動力量。

晶能光電外延工藝在硅襯底氮化鎵Micro LED外延和芯片方面的進展。

以36K/10K為例計算，上分壓電阻就是R2=36K , 下分壓電阻等于R3+R4+R5+R6+R7之和；

從電流VS電壓曲線可以看出，在同樣電流20mA下，LED1電壓為1.8V，LED2電壓為 1.9V，在并聯(lián)使用時由于電壓的不一致性，在導通時低電壓的燈珠會有鉗位作用，那LED1電壓會鉗位在1.8V，此時這顆LED1燈珠流過的電流為20mA.

AS8579在封裝方面，采用了小型化的SSOP24的封裝，可以使系統(tǒng)更加緊湊，降低附加成本。

電瓶電壓12V時點亮LED2，上分壓電阻上的電壓為9.5V，下分壓電阻上的電壓為2.5V，由于串聯(lián)電路里電流相等，那么設R3為x ，列一元一次方程：

9.5/(36+x） = 2.5/（10–x） 計算后得到x=0.43478 取標準系列電阻里的430歐；

同樣的計算方法，可以得到12.5V和13.5V的分壓電阻。

12.5V分壓后為10/2.5

10/(36+0.43+x)=2.5/(10–0.43–x)計算后得到x=0.37取標準系列電阻里的360歐；

13.5V分壓后為11/2.5

11/(36+0.43+0.36+x)=2.5/(10–0.43–0.36–x)計算后得到x=0.69148取標準系列電阻里的680 歐。

8.2+0.33+0.68+0.36+0.43=10都是標準系列阻值，相加后符合11.5V下分壓電阻總數(shù)值10K的要求。