硅襯底GaN技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)藍(lán)寶石襯底GaN技術(shù)擁有關(guān)鍵優(yōu)勢
發(fā)布時(shí)間:2022/11/17 12:52:52 訪問次數(shù):227
LED照明的穩(wěn)健性測試類似于JEDEC、IEC和其他組織發(fā)布的其他類型電子設(shè)備的測試,但針對(duì)LED產(chǎn)品的特殊特性進(jìn)行了定制。給定產(chǎn)品的具體測試協(xié)議將取決于預(yù)期的應(yīng)用,例如,室內(nèi)辦公產(chǎn)品的測試面板可能不需要包括高溫操作或振動(dòng)。
下表中列出的測試代表了推薦用于LED照明產(chǎn)品的一些更常見的穩(wěn)健性測試。
測試樣本量(典型)持續(xù)時(shí)間(典型)描述
高溫操作30個(gè)(3個(gè),共 10個(gè))1000小時(shí)連續(xù)運(yùn)行:
與允許的最大電流對(duì)應(yīng)的溫度
對(duì)應(yīng)于允許的最高溫度的驅(qū)動(dòng)電流
低溫操作30個(gè)(3個(gè),共10個(gè))1000小時(shí)在40°C(典型值)的環(huán)境溫度和工作溫度允許的最大驅(qū)動(dòng)電流下連續(xù)運(yùn)行.
電源循環(huán)操作30個(gè)(3個(gè),共10個(gè))1000小時(shí)在標(biāo)稱溫度和驅(qū)動(dòng)電流下開/關(guān)操作。由制造商確定的占空比.
非工作溫度循環(huán)30個(gè)(3個(gè),共10個(gè))500次循環(huán)在T min=40°C和T max=85°C時(shí),典型的浸泡時(shí)間和溫度為15分鐘
變頻振動(dòng)30個(gè)(3個(gè),共10個(gè))168小時(shí)由制造商確定的頻率分布
高溫/高濕30個(gè)(3個(gè),共10個(gè))1000小時(shí)在85°C 的典型環(huán)境溫度和85%的典型RH下連續(xù)或循環(huán)運(yùn)行
腐蝕30個(gè)(3個(gè),共10個(gè))168小時(shí)在標(biāo)稱溫度和驅(qū)動(dòng)電流下運(yùn)行,75%RH(典型值)至鹽霧
曝光(非工作)3個(gè)(3個(gè),共1個(gè))1000小時(shí)透鏡和外殼材料暴露于近紫外輻射
灰塵208小時(shí)在標(biāo)稱溫度和驅(qū)動(dòng)電流下連續(xù)運(yùn)行
Micro LED顯示技術(shù)在亮度、光效、可靠性、響應(yīng)時(shí)間、色彩飽和度等方面具有優(yōu)勢,應(yīng)用范圍覆蓋AR、HUD、透明顯示、柔性顯示,可穿戴設(shè)備、高端顯示屏等等。
目前Micro LED仍面臨著來自技術(shù)和成本的雙重挑戰(zhàn)。據(jù)悉,業(yè)界仍需克服紅光光效、激光轉(zhuǎn)移、晶圓鍵合、全彩化、檢測和修復(fù)等技術(shù)挑戰(zhàn)。周名兵認(rèn)為,硅襯底GaN技術(shù)可以極大提升Micro LED的制程良率。
對(duì)Micro LED而言,硅襯底GaN技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)的藍(lán)寶石襯底GaN技術(shù)擁有某些關(guān)鍵優(yōu)勢,包括大尺寸上的波長一致性、襯底無損去除、晶圓翹曲控制、CMOS鍵合良率等等。

來源:eechina.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考
LED照明的穩(wěn)健性測試類似于JEDEC、IEC和其他組織發(fā)布的其他類型電子設(shè)備的測試,但針對(duì)LED產(chǎn)品的特殊特性進(jìn)行了定制。給定產(chǎn)品的具體測試協(xié)議將取決于預(yù)期的應(yīng)用,例如,室內(nèi)辦公產(chǎn)品的測試面板可能不需要包括高溫操作或振動(dòng)。
下表中列出的測試代表了推薦用于LED照明產(chǎn)品的一些更常見的穩(wěn)健性測試。
測試樣本量(典型)持續(xù)時(shí)間(典型)描述
高溫操作30個(gè)(3個(gè),共 10個(gè))1000小時(shí)連續(xù)運(yùn)行:
與允許的最大電流對(duì)應(yīng)的溫度
對(duì)應(yīng)于允許的最高溫度的驅(qū)動(dòng)電流
低溫操作30個(gè)(3個(gè),共10個(gè))1000小時(shí)在40°C(典型值)的環(huán)境溫度和工作溫度允許的最大驅(qū)動(dòng)電流下連續(xù)運(yùn)行.
電源循環(huán)操作30個(gè)(3個(gè),共10個(gè))1000小時(shí)在標(biāo)稱溫度和驅(qū)動(dòng)電流下開/關(guān)操作。由制造商確定的占空比.
非工作溫度循環(huán)30個(gè)(3個(gè),共10個(gè))500次循環(huán)在T min=40°C和T max=85°C時(shí),典型的浸泡時(shí)間和溫度為15分鐘
變頻振動(dòng)30個(gè)(3個(gè),共10個(gè))168小時(shí)由制造商確定的頻率分布
高溫/高濕30個(gè)(3個(gè),共10個(gè))1000小時(shí)在85°C 的典型環(huán)境溫度和85%的典型RH下連續(xù)或循環(huán)運(yùn)行
腐蝕30個(gè)(3個(gè),共10個(gè))168小時(shí)在標(biāo)稱溫度和驅(qū)動(dòng)電流下運(yùn)行,75%RH(典型值)至鹽霧
曝光(非工作)3個(gè)(3個(gè),共1個(gè))1000小時(shí)透鏡和外殼材料暴露于近紫外輻射
灰塵208小時(shí)在標(biāo)稱溫度和驅(qū)動(dòng)電流下連續(xù)運(yùn)行
Micro LED顯示技術(shù)在亮度、光效、可靠性、響應(yīng)時(shí)間、色彩飽和度等方面具有優(yōu)勢,應(yīng)用范圍覆蓋AR、HUD、透明顯示、柔性顯示,可穿戴設(shè)備、高端顯示屏等等。
目前Micro LED仍面臨著來自技術(shù)和成本的雙重挑戰(zhàn)。據(jù)悉,業(yè)界仍需克服紅光光效、激光轉(zhuǎn)移、晶圓鍵合、全彩化、檢測和修復(fù)等技術(shù)挑戰(zhàn)。周名兵認(rèn)為,硅襯底GaN技術(shù)可以極大提升Micro LED的制程良率。
對(duì)Micro LED而言,硅襯底GaN技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)的藍(lán)寶石襯底GaN技術(shù)擁有某些關(guān)鍵優(yōu)勢,包括大尺寸上的波長一致性、襯底無損去除、晶圓翹曲控制、CMOS鍵合良率等等。

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