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容錯(cuò)控制IC相同功率模塊并聯(lián)封裝于高密度SM-ChiP模塊

發(fā)布時(shí)間:2022/11/20 1:04:53 訪問次數(shù):157

輻射容錯(cuò)DC-DC轉(zhuǎn)換器電源模塊,該模塊采用Vicor最新電鍍 SM-ChiP™封裝。ChiP可從100V的標(biāo)稱電源為高達(dá)300瓦的低電壓ASIC供電,其經(jīng)過波音測(cè)試,不僅能夠抵抗50 krad電離總劑量,而且還具備抗單粒子干擾(single-event upsets)的功能。

憑借冗余架構(gòu)實(shí)現(xiàn)對(duì)單粒子干擾(single-event upsets)免疫,將兩個(gè)具有容錯(cuò)控制 IC 的相同功率模塊并聯(lián),封裝于高密度SM-ChiP模塊中實(shí)現(xiàn)抗干擾功能。

所有模塊都采用Vicor高密度SM-ChiP封裝,為上下表面提供有BGA(球柵陣列)連接和可選焊料掩模。ChiP的工作溫度為-30~125°C。

新型SensPro2系列高功效傳感器中樞DSP為情境感知設(shè)備日益復(fù)雜和多樣化的AI/傳感器工作負(fù)荷提供了可擴(kuò)展的性能、多種精度和高利用率。

SensPro2系列已經(jīng)擴(kuò)展到包括七個(gè)矢量DSP內(nèi)核,可在功率和性能方面進(jìn)行擴(kuò)展。全新入門級(jí)內(nèi)核可滿足要求高達(dá)1 TOPS AI性能,而高端內(nèi)核則可達(dá)到3.2 TOPS性能。

每個(gè)SensPro2系列成員均可配置針對(duì)個(gè)別應(yīng)用的指令集架構(gòu)(ISA),用于雷達(dá)、音頻、計(jì)算機(jī)視覺和SLAM,并可配置針對(duì)浮點(diǎn)和整數(shù)數(shù)據(jù)類型的并行矢量計(jì)算單元,從而獲得針對(duì)特定用例的最高效率傳感器中樞DSP。

經(jīng)過整個(gè)航天工業(yè)檢驗(yàn)的130nm CMOS技術(shù)設(shè)計(jì),新器件兼?zhèn)涓吖ぷ魉俣、低工作電流和業(yè)內(nèi)一流的高達(dá)300 krad(Si)TID的RHA(抗輻射加固保證)級(jí)別的抗輻射能力,在125 MeV.cm2/mg下無SEL 和 SET現(xiàn)象發(fā)生。

其1.8V至3.6V的電源電壓有助于滿足典型衛(wèi)星和太空飛行器機(jī)載設(shè)備對(duì)功耗和能耗的嚴(yán)格限制。

SensPro2架構(gòu)采用了一系列改善性能并提高多任務(wù)感測(cè)和AI用例的效率的技術(shù)升級(jí),例如全新低功耗矢量DSP架構(gòu)。對(duì)于汽車動(dòng)力總成應(yīng)用,升級(jí)后的浮點(diǎn)DSP具有高精度性能,并通過功能強(qiáng)大的處理器來滿足電氣化趨勢(shì)需求。


來源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考

輻射容錯(cuò)DC-DC轉(zhuǎn)換器電源模塊,該模塊采用Vicor最新電鍍 SM-ChiP™封裝。ChiP可從100V的標(biāo)稱電源為高達(dá)300瓦的低電壓ASIC供電,其經(jīng)過波音測(cè)試,不僅能夠抵抗50 krad電離總劑量,而且還具備抗單粒子干擾(single-event upsets)的功能。

憑借冗余架構(gòu)實(shí)現(xiàn)對(duì)單粒子干擾(single-event upsets)免疫,將兩個(gè)具有容錯(cuò)控制 IC 的相同功率模塊并聯(lián),封裝于高密度SM-ChiP模塊中實(shí)現(xiàn)抗干擾功能。

所有模塊都采用Vicor高密度SM-ChiP封裝,為上下表面提供有BGA(球柵陣列)連接和可選焊料掩模。ChiP的工作溫度為-30~125°C。

新型SensPro2系列高功效傳感器中樞DSP為情境感知設(shè)備日益復(fù)雜和多樣化的AI/傳感器工作負(fù)荷提供了可擴(kuò)展的性能、多種精度和高利用率。

SensPro2系列已經(jīng)擴(kuò)展到包括七個(gè)矢量DSP內(nèi)核,可在功率和性能方面進(jìn)行擴(kuò)展。全新入門級(jí)內(nèi)核可滿足要求高達(dá)1 TOPS AI性能,而高端內(nèi)核則可達(dá)到3.2 TOPS性能。

每個(gè)SensPro2系列成員均可配置針對(duì)個(gè)別應(yīng)用的指令集架構(gòu)(ISA),用于雷達(dá)、音頻、計(jì)算機(jī)視覺和SLAM,并可配置針對(duì)浮點(diǎn)和整數(shù)數(shù)據(jù)類型的并行矢量計(jì)算單元,從而獲得針對(duì)特定用例的最高效率傳感器中樞DSP。

經(jīng)過整個(gè)航天工業(yè)檢驗(yàn)的130nm CMOS技術(shù)設(shè)計(jì),新器件兼?zhèn)涓吖ぷ魉俣取⒌凸ぷ麟娏骱蜆I(yè)內(nèi)一流的高達(dá)300 krad(Si)TID的RHA(抗輻射加固保證)級(jí)別的抗輻射能力,在125 MeV.cm2/mg下無SEL 和 SET現(xiàn)象發(fā)生。

其1.8V至3.6V的電源電壓有助于滿足典型衛(wèi)星和太空飛行器機(jī)載設(shè)備對(duì)功耗和能耗的嚴(yán)格限制。

SensPro2架構(gòu)采用了一系列改善性能并提高多任務(wù)感測(cè)和AI用例的效率的技術(shù)升級(jí),例如全新低功耗矢量DSP架構(gòu)。對(duì)于汽車動(dòng)力總成應(yīng)用,升級(jí)后的浮點(diǎn)DSP具有高精度性能,并通過功能強(qiáng)大的處理器來滿足電氣化趨勢(shì)需求。


來源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考

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