串行時鐘和幀同步時鐘信號不必要配置McBSP速率發(fā)生器
發(fā)布時間:2022/11/30 20:37:10 訪問次數(shù):167
AD545的幀同步信號可以是高電平有效,也可以是低電平有效,這取決于AD545串行接口模式選擇引腳SI_SEL的狀態(tài)。
本設(shè)計采用低電平有效方式和VC5402接口,因此,AD545的串行接口模式選擇SI_SEL接高電平DVDD。
McBSP應(yīng)該配置成單相位通信、16位字長的標(biāo)準(zhǔn)模式。由于AD545提供了串行時鐘和幀同步時鐘信號,因此,不必要配置McBSP的采樣速率發(fā)生器。鑒于上述的串行通信工時序圖,表1給出了McBSP控制寄存器的典型配置值。
DSP對AD545控制寄存器的設(shè)置是通過串行通信來完成的。
F206在線編程需要注意的幾點
進行硬件設(shè)計時,必須將F206的Vccp引腳直接接于+5V電源上。
片內(nèi)CPU的工作時鐘不得高于20MHz。如果用倍頻連接方式,則輸入時鐘頻率不得高于10MHz,否則會使擦、寫過程出現(xiàn)錯誤,從而導(dǎo)致“在線”擦、寫失敗。
正常情況下F206的擦、寫次數(shù)壽命是1000次。因此,對Flash塊的“在線”編程應(yīng)該做到一次擦除、多次寫入,直到整個Flash存儲塊寫滿后再重新擦除,這樣可以充分延長Flash存儲器的使用壽命。
不要將寫Flash的程序和被寫數(shù)據(jù)放在同一塊Flash存儲器上(后面說明)。由于F206的中斷向量從0000H單元開始,所以第一塊Flash存儲器(Flash0)用于保存固化程序,另一塊Flash存儲器用于存放重要參數(shù),進行“在線”編程。

雙向DC/DC變換器,可以實現(xiàn)能量的雙向傳輸。通常正向放電要求輸出電壓可調(diào),而反向充電過程通常要求充電電流恒定不變。通過對S3和S2的移相控制可以實現(xiàn)副邊輸出電壓的可調(diào)要求,同樣,副邊對原邊進行充電時,可以通過移相控制使得充電電流恒定。
來源:21ic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考
AD545的幀同步信號可以是高電平有效,也可以是低電平有效,這取決于AD545串行接口模式選擇引腳SI_SEL的狀態(tài)。
本設(shè)計采用低電平有效方式和VC5402接口,因此,AD545的串行接口模式選擇SI_SEL接高電平DVDD。
McBSP應(yīng)該配置成單相位通信、16位字長的標(biāo)準(zhǔn)模式。由于AD545提供了串行時鐘和幀同步時鐘信號,因此,不必要配置McBSP的采樣速率發(fā)生器。鑒于上述的串行通信工時序圖,表1給出了McBSP控制寄存器的典型配置值。
DSP對AD545控制寄存器的設(shè)置是通過串行通信來完成的。
F206在線編程需要注意的幾點
進行硬件設(shè)計時,必須將F206的Vccp引腳直接接于+5V電源上。
片內(nèi)CPU的工作時鐘不得高于20MHz。如果用倍頻連接方式,則輸入時鐘頻率不得高于10MHz,否則會使擦、寫過程出現(xiàn)錯誤,從而導(dǎo)致“在線”擦、寫失敗。
正常情況下F206的擦、寫次數(shù)壽命是1000次。因此,對Flash塊的“在線”編程應(yīng)該做到一次擦除、多次寫入,直到整個Flash存儲塊寫滿后再重新擦除,這樣可以充分延長Flash存儲器的使用壽命。
不要將寫Flash的程序和被寫數(shù)據(jù)放在同一塊Flash存儲器上(后面說明)。由于F206的中斷向量從0000H單元開始,所以第一塊Flash存儲器(Flash0)用于保存固化程序,另一塊Flash存儲器用于存放重要參數(shù),進行“在線”編程。

雙向DC/DC變換器,可以實現(xiàn)能量的雙向傳輸。通常正向放電要求輸出電壓可調(diào),而反向充電過程通常要求充電電流恒定不變。通過對S3和S2的移相控制可以實現(xiàn)副邊輸出電壓的可調(diào)要求,同樣,副邊對原邊進行充電時,可以通過移相控制使得充電電流恒定。
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