低閾值電壓和容差避免MOSFET線性模式降低驅動電壓和閑置損耗
發(fā)布時間:2022/12/3 19:21:43 訪問次數(shù):184
A31316集成了一個曼徹斯特接口(Manchester interface),用于通過輸出引腳對 EEPROM 進行編程,從而無需另外單獨的編程接口。它能夠可靠地存儲工廠和客戶編程的校準設置,并帶有供客戶使用的專用寄存器。 EEPROM編程不需要高壓電源,A31316可以直接使用5V電源電壓進行編程,從而能夠與微控制器或其他低電壓器件集成。
該IC包括業(yè)界快速SENT協(xié)議,滴答時間(tick time)為0.5~10μs,并包括一個脈寬調制(PWM)接口,載波頻率為125Hz~16kHz,用于與微控制器的簡單數(shù)字接口。
A31316傳感器遵循獨立安全單元(SEooC)等功能安全指南,支持符合ISO 26262的ASIL B系統(tǒng)級集成,并且符合AEC-Q100 Grade 0汽車標準。
SMD封裝和THD封裝的器件的導通電阻(RDS(on))值,最高可降低55%,例如DPAK封裝中器件的導通電阻值為450mΩ或TO247封裝中器件的導通電阻值為60mΩ。
設計人員可通過減小封裝尺寸、大幅提高功率密度并節(jié)省電路板空間,降低BOM成本和生產(chǎn)成本。其柵極-源極閾值電壓(V(GS),th)為3V,V(GS),th最低變化范圍為±0.5V,可方便新器件的設計導入和驅動,提高了設計自由度;利用低閾值電壓和容差可避免使用MOSFET線性模式,降低了驅動電壓和閑置損耗。
另外,與CoolMOS C3相比,新產(chǎn)品系列的柵極電荷改善了60%,大大降低了驅動損耗,而且能夠達到人體放電模型(HBM)(2級靜電放電敏感度)標準,保證了靜電放電(ESD)的穩(wěn)健性,進而減少了與ESD有關的設備故障,提高了產(chǎn)量。
新產(chǎn)品系列適用于反激式、PFC和LLC/LCC設計,包括使電源換向變得穩(wěn)定而可靠的半橋或全橋配置。
通過集成具有超低反向恢復電荷(Qrr)的超快速體二極管,該系列產(chǎn)品實現(xiàn)了硬換向的穩(wěn)健性和可靠性,并成為該電壓級別中更穩(wěn)健的超結 MOSFET,可適用于目標應用中的所有拓撲結構。
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
來源:eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。圖片供參考
A31316集成了一個曼徹斯特接口(Manchester interface),用于通過輸出引腳對 EEPROM 進行編程,從而無需另外單獨的編程接口。它能夠可靠地存儲工廠和客戶編程的校準設置,并帶有供客戶使用的專用寄存器。 EEPROM編程不需要高壓電源,A31316可以直接使用5V電源電壓進行編程,從而能夠與微控制器或其他低電壓器件集成。
該IC包括業(yè)界快速SENT協(xié)議,滴答時間(tick time)為0.5~10μs,并包括一個脈寬調制(PWM)接口,載波頻率為125Hz~16kHz,用于與微控制器的簡單數(shù)字接口。
A31316傳感器遵循獨立安全單元(SEooC)等功能安全指南,支持符合ISO 26262的ASIL B系統(tǒng)級集成,并且符合AEC-Q100 Grade 0汽車標準。
SMD封裝和THD封裝的器件的導通電阻(RDS(on))值,最高可降低55%,例如DPAK封裝中器件的導通電阻值為450mΩ或TO247封裝中器件的導通電阻值為60mΩ。
設計人員可通過減小封裝尺寸、大幅提高功率密度并節(jié)省電路板空間,降低BOM成本和生產(chǎn)成本。其柵極-源極閾值電壓(V(GS),th)為3V,V(GS),th最低變化范圍為±0.5V,可方便新器件的設計導入和驅動,提高了設計自由度;利用低閾值電壓和容差可避免使用MOSFET線性模式,降低了驅動電壓和閑置損耗。
另外,與CoolMOS C3相比,新產(chǎn)品系列的柵極電荷改善了60%,大大降低了驅動損耗,而且能夠達到人體放電模型(HBM)(2級靜電放電敏感度)標準,保證了靜電放電(ESD)的穩(wěn)健性,進而減少了與ESD有關的設備故障,提高了產(chǎn)量。
新產(chǎn)品系列適用于反激式、PFC和LLC/LCC設計,包括使電源換向變得穩(wěn)定而可靠的半橋或全橋配置。
通過集成具有超低反向恢復電荷(Qrr)的超快速體二極管,該系列產(chǎn)品實現(xiàn)了硬換向的穩(wěn)健性和可靠性,并成為該電壓級別中更穩(wěn)健的超結 MOSFET,可適用于目標應用中的所有拓撲結構。
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