新款MCU SS26L1X，這是一款面向多節(jié)電池移動設(shè)備控制管理的MCU。

昇生微的RISC-V一共規(guī)劃兩個系列，一個是全自研的低功耗/高能耗比系列AndRISC-V0內(nèi)核，另外一個則是合作開發(fā)的高算力特色指令系統(tǒng)AndRISC-V4。

如今在Arm一統(tǒng)天下的局面下，客戶對于RISC-V的遷移會存在顧慮，但是昇生微經(jīng)過了反復權(quán)衡，認為RISC-V是在生態(tài)普適性和國產(chǎn)自主可控之間非常好的平衡�？紤]到昇生微在消費電子產(chǎn)品落地、客戶群以及技術(shù)支持等市場方面，以及CPU和操作系統(tǒng)軟硬件的開發(fā)團隊方面都有一定的積累，因此公司才堅持擁抱RISC-V。

在這個用例中，慣性傳感器檢測車輛的運動，并可以使用“AR.markers”調(diào)整AR-HUD光束的位置，以便駕駛員以最佳方式觀看。

另一個與舒適性相關(guān)的應用是主動懸架系統(tǒng)，其通過慣性傳感器采集車輛姿態(tài)信息，經(jīng)過主動懸架控制器計算，向四輪減震器輸出軟硬不同的阻尼控制，最后通過控制四個減震器內(nèi)部的電磁閥來動態(tài)調(diào)整懸架軟硬。

在1200V、40A的測試條件下，1700V EliteSiC MOSFET的柵極電荷（Qg）達到領(lǐng)先市場的200nC，而同類競爭器件的Qg近300nC。

低Qg對于在快速開關(guān)、高功率可再生能源應用中實現(xiàn)高能效至關(guān)重要。

在1700V的額定擊穿電壓（BV）下，EliteSiC肖特基二極管器件在最大反向電壓（VRRM）和二極管的峰值重復反向電壓之間提供了更好的余量。

新器件還具有出色的反向漏電流性能，其最大反向電流（IR）在25°C時僅為40µA，在175°C時為100µA--明顯優(yōu)于在25°C時額定值通常為100µA的競爭器件。

通過這兩大系列，把RISC-V“向上向下”的可拓展性優(yōu)勢利用好。

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