低觸發(fā)電壓有助于降低IEC61000-4-5 8/20µs浪涌脈沖所含的能量
發(fā)布時(shí)間:2023/1/25 21:16:23 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):86
針對(duì)市場(chǎng)對(duì)提升可靠性的需求,ROHM早在2014年就開(kāi)始構(gòu)建IPD專(zhuān)用工藝。此次通過(guò)進(jìn)一步提高專(zhuān)用工藝的電流承載能力,并結(jié)合ROHM的模擬設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)勢(shì),打造了更廣泛的產(chǎn)品陣容。
IPD不僅可以進(jìn)行電子電路的ON/OFF控制,還內(nèi)置有保護(hù)功能,可保護(hù)電路免受電氣故障(異常時(shí)的過(guò)電流)的影響,有助于構(gòu)建安全且可靠性高的系統(tǒng)。
新產(chǎn)品配置在電機(jī)和照明等被控設(shè)備的下側(cè)(接地側(cè))電路中,從電路結(jié)構(gòu)方面看,具有可輕松替代機(jī)械繼電器和MOSFET、易于設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。
雙數(shù)據(jù)線(xiàn)PESD4V0X2UM采用緊湊型DFN1006-3封裝,觸發(fā)電壓為8V,典型器件魯棒性超過(guò)14A 8/20µs,典型器件電容為0.82pF。
高經(jīng)濟(jì)效益開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器系列 - RPMGQ-20和RPMGS-20。兩款都是開(kāi)放式的通孔非隔離DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器,輸入為18V-75V。可選標(biāo)稱(chēng)輸出為5V或12V,分別可在3.3V至8V和8V至24V的寬范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。
Nexperia開(kāi)發(fā)了TrEOS產(chǎn)品組合,專(zhuān)門(mén)用于為我們的客戶(hù)提供一系列適用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt™、HDMI 2.1和通用閃存等應(yīng)用的高性能ESD保護(hù)解決方案。
PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速開(kāi)關(guān)速度可為高速數(shù)據(jù)線(xiàn)提供極為有效的ESD峰值抑制性能,而其低觸發(fā)電壓有助于顯著降低IEC61000-4-5 8/20µs浪涌脈沖所含的能量。
單數(shù)據(jù)線(xiàn)PESD4V0Y1BBSF采用低電感DSN0603-2封裝,觸發(fā)電壓為6.3V TLP,典型器件魯棒性和電容分別為25A 8/20µs和0.7pF。PESD4V0Y1BBSF提供的鉗位電壓在16A 100ns TLP時(shí)僅為2.4V,在20A 8/20µs浪涌時(shí)僅為3.4V。
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
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新產(chǎn)品配置在電機(jī)和照明等被控設(shè)備的下側(cè)(接地側(cè))電路中,從電路結(jié)構(gòu)方面看,具有可輕松替代機(jī)械繼電器和MOSFET、易于設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。
雙數(shù)據(jù)線(xiàn)PESD4V0X2UM采用緊湊型DFN1006-3封裝,觸發(fā)電壓為8V,典型器件魯棒性超過(guò)14A 8/20µs,典型器件電容為0.82pF。
高經(jīng)濟(jì)效益開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器系列 - RPMGQ-20和RPMGS-20。兩款都是開(kāi)放式的通孔非隔離DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器,輸入為18V-75V?蛇x標(biāo)稱(chēng)輸出為5V或12V,分別可在3.3V至8V和8V至24V的寬范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。
Nexperia開(kāi)發(fā)了TrEOS產(chǎn)品組合,專(zhuān)門(mén)用于為我們的客戶(hù)提供一系列適用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt™、HDMI 2.1和通用閃存等應(yīng)用的高性能ESD保護(hù)解決方案。
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單數(shù)據(jù)線(xiàn)PESD4V0Y1BBSF采用低電感DSN0603-2封裝,觸發(fā)電壓為6.3V TLP,典型器件魯棒性和電容分別為25A 8/20µs和0.7pF。PESD4V0Y1BBSF提供的鉗位電壓在16A 100ns TLP時(shí)僅為2.4V,在20A 8/20µs浪涌時(shí)僅為3.4V。
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