WARP2 600V非穿透型(NPT)IGBT，額定電流分50A、35A和20A三種。新器件的關(guān)斷性能經(jīng)特別改良，適用于電信和服務(wù)器系統(tǒng)中的大電流、高頻開關(guān)電源電路。

全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能價(jià)格比，提供理想的性能和效率。

這些IGBT與HEXFRED二極管組合封裝，性能高于功率MOSFET中的集成體二極管。新器件采用TO-247及TO-220封裝。

最新WARP2 IGBT器件是功率因數(shù)校正(PFC)及零電壓開關(guān)(ZVS)應(yīng)用系統(tǒng)的最佳選擇。器件的通態(tài)損耗低于功率MOSFET，可創(chuàng)造更大效益，其拖尾電流極短，能有效工作于150kHz或以下頻率。

憑借更高的通信與計(jì)算性能、基于硬件的強(qiáng)大安全性、更低的功耗，以及由更高的器件集成度所實(shí)現(xiàn)的板級空間的節(jié)約，該新型芯片組完全能夠支持諸如安全移動商務(wù)、多媒體游戲與娛樂、定位服務(wù)、媒體流、更高速的Java處理、web瀏覽、增強(qiáng)的2D圖形等新一代應(yīng)用潮流。

因?yàn)樵撔滦托酒M用更少的芯片中集成了更多功能，因此針對移動設(shè)備設(shè)計(jì)的材料清單 (BOM) 將顯著減少，從而使移動設(shè)備在進(jìn)入市場時具有更強(qiáng)的競爭力，并為大眾消費(fèi)者提供了無線訪問因特網(wǎng)的可能。

四款新型高性能、低功耗GSM/GPRS芯片組解決方案，這些芯片組具有堪稱無線行業(yè)第一的先進(jìn)的基于硬件的安全特性，并具有更高的性能和更低的功耗，可滿足所有市場領(lǐng)域中的無線移動終端的極具魅力的新型多媒體應(yīng)用。