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并聯(lián)模式操作可以像功率MOSFET一樣發(fā)揮極佳電流均分性能

發(fā)布時(shí)間:2023/2/1 12:30:00 訪問次數(shù):103

總線轉(zhuǎn)接盒(bus pod)把Bus Doctor Rx轉(zhuǎn)變成一部全功能PCI Express協(xié)議分析儀,協(xié)助主機(jī)、裝置以及軟件和硬件發(fā)展廠商大幅減少發(fā)展時(shí)間和成本。

PCI Express架構(gòu)是一種串行I/O技術(shù),兼容于現(xiàn)有PCI軟件環(huán)境,可將低成本而具延展性的工作效能提供給下個(gè)世代的計(jì)算機(jī)和通訊平臺(tái)。

PCI Express技術(shù)定義一種封包化傳輸協(xié)議和一套分層式架構(gòu),可以連接至銅纜線、光纖或其它新出現(xiàn)的實(shí)體訊號(hào)媒介,最適合支持芯片對(duì)芯片以及附加卡的實(shí)作。由于PCI Express架構(gòu)具備這些優(yōu)點(diǎn),每條線路在每個(gè)方向的初始位速率又高達(dá)2.5Gbps,使它成為高效能應(yīng)用的理想連接點(diǎn) (attach point)。

IGBT的電流密度優(yōu)于功率MOSFET,可減低器件數(shù)目,有助節(jié)省成本和改善功率密度。

全新WARP2 IGBT以IR的薄晶片技術(shù)制成,確保縮短少數(shù)載流子耗盡時(shí)間,加快關(guān)斷過程。此外,器件的拖尾電流極短、關(guān)斷切換損耗 (EOFF) 極低,可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高工作頻率。

WARP2 IGBT憑著更完善的開關(guān)性能,配合正溫度系數(shù)特性和更低柵開通電荷,有效提高電流密度。若以并聯(lián)模式操作,它們可以像功率MOSFET一樣發(fā)揮極佳的電流均分性能。與功率MOSFET不同,它們的通態(tài)損耗能保持固定不變。

在TO-247封裝內(nèi),全新IGBT能處理高達(dá)50A電流,電容量比采用相同封裝的IR 600V MOSFET高出85%;若采用TO-220封裝,則可處理高達(dá)20A電流,電容量比采用相同封裝的IR 600V MOSFET高出18%。

Data Transit繼續(xù)領(lǐng)先把重要工具提供給SAN發(fā)展廠商。Bus Doctor協(xié)議分析儀產(chǎn)品線提供前所未有的模塊化和工作組態(tài)選項(xiàng),也是唯一支持儲(chǔ)存、網(wǎng)絡(luò)、背板和外圍總線的協(xié)議分析儀;我們所能分析的協(xié)議多于其它任何測(cè)試設(shè)備公司,而且全部工作都使用相同分析儀。

業(yè)界已將產(chǎn)品發(fā)展重點(diǎn)轉(zhuǎn)移至PCI Express設(shè)計(jì)。為了加快PCI Express產(chǎn)品上市腳步,設(shè)計(jì)工具的提供將成為重要關(guān)鍵,例如Data Transit的Bus Doctor。

提供業(yè)界第一部PCI Express協(xié)議分析儀證明我們決心實(shí)踐承諾,要繼續(xù)成為服務(wù)器以及SAN市場(chǎng)的總線協(xié)議分析儀領(lǐng)導(dǎo)廠商。利用我們的Bus Doctor Rx分析儀,客戶就能同時(shí)分析各種總線,包括新增加的PCI Express,全部使用相同的參考時(shí)脈和交叉觸發(fā) (cross-triggering)。

總線轉(zhuǎn)接盒(bus pod)把Bus Doctor Rx轉(zhuǎn)變成一部全功能PCI Express協(xié)議分析儀,協(xié)助主機(jī)、裝置以及軟件和硬件發(fā)展廠商大幅減少發(fā)展時(shí)間和成本。

PCI Express架構(gòu)是一種串行I/O技術(shù),兼容于現(xiàn)有PCI軟件環(huán)境,可將低成本而具延展性的工作效能提供給下個(gè)世代的計(jì)算機(jī)和通訊平臺(tái)。

PCI Express技術(shù)定義一種封包化傳輸協(xié)議和一套分層式架構(gòu),可以連接至銅纜線、光纖或其它新出現(xiàn)的實(shí)體訊號(hào)媒介,最適合支持芯片對(duì)芯片以及附加卡的實(shí)作。由于PCI Express架構(gòu)具備這些優(yōu)點(diǎn),每條線路在每個(gè)方向的初始位速率又高達(dá)2.5Gbps,使它成為高效能應(yīng)用的理想連接點(diǎn) (attach point)。

IGBT的電流密度優(yōu)于功率MOSFET,可減低器件數(shù)目,有助節(jié)省成本和改善功率密度。

全新WARP2 IGBT以IR的薄晶片技術(shù)制成,確?s短少數(shù)載流子耗盡時(shí)間,加快關(guān)斷過程。此外,器件的拖尾電流極短、關(guān)斷切換損耗 (EOFF) 極低,可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高工作頻率。

WARP2 IGBT憑著更完善的開關(guān)性能,配合正溫度系數(shù)特性和更低柵開通電荷,有效提高電流密度。若以并聯(lián)模式操作,它們可以像功率MOSFET一樣發(fā)揮極佳的電流均分性能。與功率MOSFET不同,它們的通態(tài)損耗能保持固定不變。

在TO-247封裝內(nèi),全新IGBT能處理高達(dá)50A電流,電容量比采用相同封裝的IR 600V MOSFET高出85%;若采用TO-220封裝,則可處理高達(dá)20A電流,電容量比采用相同封裝的IR 600V MOSFET高出18%。

Data Transit繼續(xù)領(lǐng)先把重要工具提供給SAN發(fā)展廠商。Bus Doctor協(xié)議分析儀產(chǎn)品線提供前所未有的模塊化和工作組態(tài)選項(xiàng),也是唯一支持儲(chǔ)存、網(wǎng)絡(luò)、背板和外圍總線的協(xié)議分析儀;我們所能分析的協(xié)議多于其它任何測(cè)試設(shè)備公司,而且全部工作都使用相同分析儀。

業(yè)界已將產(chǎn)品發(fā)展重點(diǎn)轉(zhuǎn)移至PCI Express設(shè)計(jì)。為了加快PCI Express產(chǎn)品上市腳步,設(shè)計(jì)工具的提供將成為重要關(guān)鍵,例如Data Transit的Bus Doctor。

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