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電芯在豎直和水平方向上排布有利于優(yōu)化電池能量儲存與整車布局

發(fā)布時間:2023/2/8 19:50:48 訪問次數(shù):57

數(shù)據(jù)鏈路層則在應(yīng)用層基礎(chǔ)上加上一頭一尾。頭上是一個字節(jié)的狀態(tài)字,表示該信息是最近刷新的,還是重復以前的數(shù)據(jù)。尾上加兩個字節(jié),用于CRC校驗。

到物理層,則在數(shù)據(jù)鏈路層基礎(chǔ)上再加上頭尾。頭上加兩個字節(jié),一個是前同步字符,由10101010組成,第二個是幀開始分界符,由1、高電平、低電平、1、零、高電平、低電平、零組成。尾部加一個幀結(jié)束字節(jié),由1、高電平、低電平、高電平、低電平、1、零、1、組成。

三層協(xié)議一共在有用信息兩端增加了8個字節(jié)。當速率為1M時,幀與幀之間的間隔可設(shè)定在10~70μS之間。如果每個數(shù)據(jù)都是8字節(jié),有用通量在200K~300 Kbit/s之間。如果數(shù)據(jù)長度為128字節(jié),有用通量可達800K bit/s。

Ultium電池與驅(qū)動系統(tǒng)亮點

Ultium電池的電芯在豎直方向和水平方向上均可排布,有利于優(yōu)化電池能量儲存與整車布局;

Ultium電池的容量從50千瓦時至200千瓦時不等,可支持高達640公里的續(xù)航里程,百公里加速僅3秒;

搭載Ultium電池的電動車支持家用充電和直流快充,大部分車型將配備400伏電池包以及200千瓦的快充能力,電動皮卡將配備800伏電池包以及350千瓦的快充能力;

在驅(qū)動系統(tǒng)方面,通用汽車自主研發(fā)的電機將提供前驅(qū)、后驅(qū)、四驅(qū)、性能四驅(qū)等豐富選擇。

現(xiàn)在,通過增加電能共享支持功能,最新的ST-ONEMP簡化了在USB-PD輸出外再增加一個輸出的雙充電口設(shè)計,提高終端用戶的充電靈活性和便利性。

在ST-ONEMP內(nèi)部,Cortex-M0+MCU微控制器位于充電器次級側(cè),片上64KB閃存用于保存定制USB-PD協(xié)議和電源轉(zhuǎn)換固件。

ST-ONEMP與MasterGaN功率技術(shù)配套使用。MasterGaN技術(shù)包含集成柵極驅(qū)動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅MOSFET更高,使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計規(guī)范的高能效。

http://yushuo.51dzw.com/ 深圳市裕碩科技有限公司

數(shù)據(jù)鏈路層則在應(yīng)用層基礎(chǔ)上加上一頭一尾。頭上是一個字節(jié)的狀態(tài)字,表示該信息是最近刷新的,還是重復以前的數(shù)據(jù)。尾上加兩個字節(jié),用于CRC校驗。

到物理層,則在數(shù)據(jù)鏈路層基礎(chǔ)上再加上頭尾。頭上加兩個字節(jié),一個是前同步字符,由10101010組成,第二個是幀開始分界符,由1、高電平、低電平、1、零、高電平、低電平、零組成。尾部加一個幀結(jié)束字節(jié),由1、高電平、低電平、高電平、低電平、1、零、1、組成。

三層協(xié)議一共在有用信息兩端增加了8個字節(jié)。當速率為1M時,幀與幀之間的間隔可設(shè)定在10~70μS之間。如果每個數(shù)據(jù)都是8字節(jié),有用通量在200K~300 Kbit/s之間。如果數(shù)據(jù)長度為128字節(jié),有用通量可達800K bit/s。

Ultium電池與驅(qū)動系統(tǒng)亮點

Ultium電池的電芯在豎直方向和水平方向上均可排布,有利于優(yōu)化電池能量儲存與整車布局;

Ultium電池的容量從50千瓦時至200千瓦時不等,可支持高達640公里的續(xù)航里程,百公里加速僅3秒;

搭載Ultium電池的電動車支持家用充電和直流快充,大部分車型將配備400伏電池包以及200千瓦的快充能力,電動皮卡將配備800伏電池包以及350千瓦的快充能力;

在驅(qū)動系統(tǒng)方面,通用汽車自主研發(fā)的電機將提供前驅(qū)、后驅(qū)、四驅(qū)、性能四驅(qū)等豐富選擇。

現(xiàn)在,通過增加電能共享支持功能,最新的ST-ONEMP簡化了在USB-PD輸出外再增加一個輸出的雙充電口設(shè)計,提高終端用戶的充電靈活性和便利性。

在ST-ONEMP內(nèi)部,Cortex-M0+MCU微控制器位于充電器次級側(cè),片上64KB閃存用于保存定制USB-PD協(xié)議和電源轉(zhuǎn)換固件。

ST-ONEMP與MasterGaN功率技術(shù)配套使用。MasterGaN技術(shù)包含集成柵極驅(qū)動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅MOSFET更高,使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計規(guī)范的高能效。

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