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電路中RP1動片經(jīng)R1為場效應晶體管柵極提供電壓微調(diào)RP1

發(fā)布時間:2023/2/27 8:09:58 訪問次數(shù):186

小功率場效應晶體管漏極和源極之間有一個寄生二極管,漏極D有反向電壓時有保護作用。

場效應晶體管漏極D與源極s之間的阻值受柵極電壓的控制。當柵極G電壓高于3,5V時,D、s間的阻值趨于0,即飽和導通。

當柵極G電壓低于2V時,D、s間的阻值趨于無窮大,相當于短路狀態(tài)截止其關系曲線。

場效應晶體管漏極電流與%s和t/Ds的關系曲線,小功率場效應晶體管的檢測電路。

小功率場效應晶體管的檢測電路,為了測試方便,電路中可用負載電路取代直流電動機,使用指針萬用表分別檢測小功率場效應晶體管柵極電壓和漏極電壓,即可判別小功率場效應晶體管的工作狀態(tài)是否正常。

檢測的具體方法如下:

當開關sW1置于0N位置時,小功率場效應晶體臀柵極(G)電壓上升為8.5V,VF導通,溽極(D)電壓降為0V。

當開關sWl置于0FF位置時,小功率場效應晶體管的柵極(G)電壓為0V,VF截止,喝極電壓升為12V。

場效應晶體管功能特點與識別檢測,晶閘管的種類特點,典型電子產(chǎn)品電路板上的晶間管.

晶閘管是晶體閘流管的簡稱,是一種可控整流器件,也稱為可控硅。

晶閘管在一定的電壓條件下,只要有一觸發(fā)脈沖就可導通,觸發(fā)脈沖消失,晶閘管仍然能維持導通狀態(tài),為電子產(chǎn)品電路板上的晶閘管。


絕緣柵型場效應晶體管放大能力的檢測方法,場效應晶體管驅(qū)動放大性能的檢測,電路中,RP1的動片經(jīng)R1為場效應晶體管柵極提供電壓,微調(diào)RP1,分別輸出低于8V、8~8.5V、高于8.5V等幾種電壓,用數(shù)字萬用表檢測場效應晶體管潺極(D)的對地電壓,即可了解導通情況。

采用小功率MOS場效應晶體管的直流電動機驅(qū)動電路,電路中,當某一開關接通時,電源5V經(jīng)電阻分壓電路為柵極提供驅(qū)動電壓。柵極電壓上升達3.5V。

MOs場效應晶體管飽和導通,電動機得電運轉(zhuǎn)。若開關斷開,柵極電壓下降為0V,MOs場效應晶體管截止,電動機斷電停轉(zhuǎn),小功率場效應晶體管的工作狀態(tài)與等效電路.

http://yushuo.51dzw.com/ 深圳市裕碩科技有限公司


小功率場效應晶體管漏極和源極之間有一個寄生二極管,漏極D有反向電壓時有保護作用。

場效應晶體管漏極D與源極s之間的阻值受柵極電壓的控制。當柵極G電壓高于3,5V時,D、s間的阻值趨于0,即飽和導通。

當柵極G電壓低于2V時,D、s間的阻值趨于無窮大,相當于短路狀態(tài)截止其關系曲線。

場效應晶體管漏極電流與%s和t/Ds的關系曲線,小功率場效應晶體管的檢測電路。

小功率場效應晶體管的檢測電路,為了測試方便,電路中可用負載電路取代直流電動機,使用指針萬用表分別檢測小功率場效應晶體管柵極電壓和漏極電壓,即可判別小功率場效應晶體管的工作狀態(tài)是否正常。

檢測的具體方法如下:

當開關sW1置于0N位置時,小功率場效應晶體臀柵極(G)電壓上升為8.5V,VF導通,溽極(D)電壓降為0V。

當開關sWl置于0FF位置時,小功率場效應晶體管的柵極(G)電壓為0V,VF截止,喝極電壓升為12V。

場效應晶體管功能特點與識別檢測,晶閘管的種類特點,典型電子產(chǎn)品電路板上的晶間管.

晶閘管是晶體閘流管的簡稱,是一種可控整流器件,也稱為可控硅。

晶閘管在一定的電壓條件下,只要有一觸發(fā)脈沖就可導通,觸發(fā)脈沖消失,晶閘管仍然能維持導通狀態(tài),為電子產(chǎn)品電路板上的晶閘管。


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采用小功率MOS場效應晶體管的直流電動機驅(qū)動電路,電路中,當某一開關接通時,電源5V經(jīng)電阻分壓電路為柵極提供驅(qū)動電壓。柵極電壓上升達3.5V。

MOs場效應晶體管飽和導通,電動機得電運轉(zhuǎn)。若開關斷開,柵極電壓下降為0V,MOs場效應晶體管截止,電動機斷電停轉(zhuǎn),小功率場效應晶體管的工作狀態(tài)與等效電路.

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