散熱條件下二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)允許通過(guò)最大正向電流平均值
發(fā)布時(shí)間:2023/4/4 23:24:49 訪問(wèn)次數(shù):247
晶體二極管的電流放大作用 把晶體三極管接在電路中。讓發(fā)射結(jié)處于正向偏置狀態(tài)、集電結(jié)處于反向偏置狀態(tài),通過(guò)實(shí)驗(yàn),可得到:晶體三極管圖形符號(hào)、極性,晶體三極管放大狀態(tài)k=fl+fc-re≈Jc
三極管基極輸入的微小基極電流rb引起了集電極電流fc的較大變化,并且規(guī)定Δfb (電流放大系數(shù)),可得到二極管中電流間的相互關(guān)系:rc=ub、rc=Fb+rc=(1+卩)rb.
(硅二極管死區(qū)電壓約0.5Ⅴ,鍺二極管約0.2V)。導(dǎo)通后工極管兩端的管壓降(硅二極管約0.7Ⅴ,鍺二極管約0.3Ⅴ)。在反向特性部分有一個(gè)二極管承受反向電壓處于截止?fàn)顟B(tài)的反向截止區(qū)和反向擊穿區(qū)。
二極管圖形符號(hào),二極管伏安特性曲線,晶體二極管的主要參數(shù),最大正向電流在規(guī)定的散熱條件下二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)允許通過(guò)的最大正向電流平均值。
反向擊穿電壓 指二極管所能承受的最高反向電壓。超過(guò)此值二極管將被擊穿。
最高反向工作電壓 一般為反向擊穿電壓的1/2~2/3。
晶體二極管的簡(jiǎn)易判斷,好壞的判斷 用萬(wàn)用表R×100Ω或R×1 kΩ擋測(cè)量二極管的正反向電阻,如果正向電阻為幾十歐至幾百歐,反向電阻在200 kΩ以上,可以認(rèn)為二極管是好的。萬(wàn)用表黑表筆接二極管正極、紅表筆接負(fù)極時(shí)測(cè)得的為正向電阻,反之為反向電阻。
二極管的好壞判斷,a)正向電阻測(cè)量 b)反向電阻測(cè)量
極性的判斷用萬(wàn)用表測(cè)出二極管的正向電阻(阻值較小)時(shí),黑表筆所接的為二極管正極,紅表筆為二極管負(fù)極。半導(dǎo)體材料的判斷 當(dāng)測(cè)得二極管正向電阻時(shí),指針指示在標(biāo)度尺3/4左右,為鍺二極管;指示在2/3左右,為硅二極管。
晶體二極管的電流放大作用 把晶體三極管接在電路中。讓發(fā)射結(jié)處于正向偏置狀態(tài)、集電結(jié)處于反向偏置狀態(tài),通過(guò)實(shí)驗(yàn),可得到:晶體三極管圖形符號(hào)、極性,晶體三極管放大狀態(tài)k=fl+fc-re≈Jc
三極管基極輸入的微小基極電流rb引起了集電極電流fc的較大變化,并且規(guī)定Δfb (電流放大系數(shù)),可得到二極管中電流間的相互關(guān)系:rc=ub、rc=Fb+rc=(1+卩)rb.
(硅二極管死區(qū)電壓約0.5Ⅴ,鍺二極管約0.2V)。導(dǎo)通后工極管兩端的管壓降(硅二極管約0.7Ⅴ,鍺二極管約0.3Ⅴ)。在反向特性部分有一個(gè)二極管承受反向電壓處于截止?fàn)顟B(tài)的反向截止區(qū)和反向擊穿區(qū)。
二極管圖形符號(hào),二極管伏安特性曲線,晶體二極管的主要參數(shù),最大正向電流在規(guī)定的散熱條件下二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)允許通過(guò)的最大正向電流平均值。
反向擊穿電壓 指二極管所能承受的最高反向電壓。超過(guò)此值二極管將被擊穿。
最高反向工作電壓 一般為反向擊穿電壓的1/2~2/3。
晶體二極管的簡(jiǎn)易判斷,好壞的判斷 用萬(wàn)用表R×100Ω或R×1 kΩ擋測(cè)量二極管的正反向電阻,如果正向電阻為幾十歐至幾百歐,反向電阻在200 kΩ以上,可以認(rèn)為二極管是好的。萬(wàn)用表黑表筆接二極管正極、紅表筆接負(fù)極時(shí)測(cè)得的為正向電阻,反之為反向電阻。
二極管的好壞判斷,a)正向電阻測(cè)量 b)反向電阻測(cè)量
極性的判斷用萬(wàn)用表測(cè)出二極管的正向電阻(阻值較小)時(shí),黑表筆所接的為二極管正極,紅表筆為二極管負(fù)極。半導(dǎo)體材料的判斷 當(dāng)測(cè)得二極管正向電阻時(shí),指針指示在標(biāo)度尺3/4左右,為鍺二極管;指示在2/3左右,為硅二極管。
熱門點(diǎn)擊
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- 散熱條件下二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)允許通過(guò)最大正向電
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