通過自動(dòng)維護(hù)功率簽名(MPS)功能在睡眠模式下保持與PSE交換機(jī)連接
發(fā)布時(shí)間:2023/7/16 9:07:36 訪問次數(shù):77
穩(wěn)壓器的開關(guān)頻率可通過一個(gè)簡單的外部電阻器進(jìn)行調(diào)整,以避免不必要的諧波。集成的同步驅(qū)動(dòng)器可以控制次級(jí)側(cè)場效應(yīng)晶體管(FET)以提高功率轉(zhuǎn)換效率。通過自動(dòng)維護(hù)功率簽名(MPS)功能,在睡眠模式下保持與PSE交換機(jī)的連接。
電流模式控制開關(guān)穩(wěn)壓器支持多種隔離和非隔離電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該穩(wěn)壓器由一個(gè)集成的電源開關(guān)FET作為補(bǔ)充。這種靈活性以及Silicon Labs完整的PoE PD參考設(shè)計(jì)使得開發(fā)人員能夠更輕松的部署關(guān)鍵電源子系統(tǒng)。
產(chǎn)品主要特點(diǎn):
超高精度電流測量:測量峰值達(dá)1500A
拓寬持續(xù)工作溫度范圍:-40°C~+85°C
寬頻帶:直流~440 kHz (-3 dB)
緊湊結(jié)構(gòu):原邊大穿孔
極好穩(wěn)定性
極低噪聲(峰峰值)
帶有保護(hù)功能與狀態(tài)指示器
兼容IST電源
數(shù)字輸出開環(huán)霍爾效應(yīng)電流傳感器

LED驅(qū)動(dòng)器由STM32F071CB微控制器和三個(gè)不同功率級(jí)組成,為實(shí)現(xiàn)最佳能效,PFC級(jí)和兩個(gè)DC-DC轉(zhuǎn)換器都是臨界導(dǎo)通模式(TM)。第一個(gè)降壓DC轉(zhuǎn)換器和第二個(gè)反向降壓轉(zhuǎn)換器都是恒流模式。
反向降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)內(nèi)的功率開關(guān)接地,而不是標(biāo)準(zhǔn)降壓拓?fù)涞倪B接高邊開關(guān)。MCU和包括PM8841D、PM8834和L6395D在內(nèi)的柵極驅(qū)動(dòng)電路用于管理反激拓?fù)渲械妮o助開關(guān)電源,VIPer013LS(60 kHz高壓離線轉(zhuǎn)換器)為MCU和柵極驅(qū)動(dòng)器供電。
在100%負(fù)載時(shí),LED驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的總體能效大約91%,這歸功于STD11N60M2-EP N溝道600 V MDmeshTM M2 EP功率MOSFET。
穩(wěn)壓器的開關(guān)頻率可通過一個(gè)簡單的外部電阻器進(jìn)行調(diào)整,以避免不必要的諧波。集成的同步驅(qū)動(dòng)器可以控制次級(jí)側(cè)場效應(yīng)晶體管(FET)以提高功率轉(zhuǎn)換效率。通過自動(dòng)維護(hù)功率簽名(MPS)功能,在睡眠模式下保持與PSE交換機(jī)的連接。
電流模式控制開關(guān)穩(wěn)壓器支持多種隔離和非隔離電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該穩(wěn)壓器由一個(gè)集成的電源開關(guān)FET作為補(bǔ)充。這種靈活性以及Silicon Labs完整的PoE PD參考設(shè)計(jì)使得開發(fā)人員能夠更輕松的部署關(guān)鍵電源子系統(tǒng)。
產(chǎn)品主要特點(diǎn):
超高精度電流測量:測量峰值達(dá)1500A
拓寬持續(xù)工作溫度范圍:-40°C~+85°C
寬頻帶:直流~440 kHz (-3 dB)
緊湊結(jié)構(gòu):原邊大穿孔
極好穩(wěn)定性
極低噪聲(峰峰值)
帶有保護(hù)功能與狀態(tài)指示器
兼容IST電源
數(shù)字輸出開環(huán)霍爾效應(yīng)電流傳感器

LED驅(qū)動(dòng)器由STM32F071CB微控制器和三個(gè)不同功率級(jí)組成,為實(shí)現(xiàn)最佳能效,PFC級(jí)和兩個(gè)DC-DC轉(zhuǎn)換器都是臨界導(dǎo)通模式(TM)。第一個(gè)降壓DC轉(zhuǎn)換器和第二個(gè)反向降壓轉(zhuǎn)換器都是恒流模式。
反向降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)內(nèi)的功率開關(guān)接地,而不是標(biāo)準(zhǔn)降壓拓?fù)涞倪B接高邊開關(guān)。MCU和包括PM8841D、PM8834和L6395D在內(nèi)的柵極驅(qū)動(dòng)電路用于管理反激拓?fù)渲械妮o助開關(guān)電源,VIPer013LS(60 kHz高壓離線轉(zhuǎn)換器)為MCU和柵極驅(qū)動(dòng)器供電。
在100%負(fù)載時(shí),LED驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的總體能效大約91%,這歸功于STD11N60M2-EP N溝道600 V MDmeshTM M2 EP功率MOSFET。
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