600V和650V E系列功率MOSFET的陣容。

Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E與SiHJ7N65E可以為采用TO-252（DPAK）封裝的MOSFET提供節(jié)省空間的替代品，降低照明、工業(yè)、電信、計(jì)算和消費(fèi)類應(yīng)用的封裝電感。

這些器件完全符合RoHS指令的要求，無(wú)鹵素，無(wú)鉛（Pb）。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸僅為5mm x 6mm，占用的板空間和高度僅為采用TO-252（DPAK）封裝的器件的一半。PowerPAK SO-8L的鷗翼引線結(jié)構(gòu)可以提升板級(jí)可靠性。

LED驅(qū)動(dòng)器IC必須具有的一個(gè)關(guān)鍵性能特點(diǎn)是能夠充分調(diào)光。LED是用恒定電流驅(qū)動(dòng)的，其DC電流值與LED亮度成比例。要通過(guò)控制LED電流改變LED亮度，有兩種調(diào)光方法。

第一種是模擬調(diào)光，通過(guò)降低恒定的LED電流值，成比例地降低LED的DC電流值。降低LED電流可能導(dǎo)致LED色彩改變，或者LED電流控制不準(zhǔn)確。

第二種方法是數(shù)字或脈沖寬度調(diào)制(PWM)調(diào)光。PWM調(diào)光以等于或高于100Hz的頻率接通和斷開(kāi)LED，這樣的變化人眼察覺(jué)不到。PWM調(diào)光占空比與LED亮度成比例，而接通時(shí)的LED電流值保持在由LED驅(qū)動(dòng)器IC設(shè)定的值，從而在高調(diào)光比時(shí)保持了LED顏色的恒定。在某些應(yīng)用中，這種PWM調(diào)光方法可實(shí)現(xiàn)3000：1的調(diào)光比。

MOS在導(dǎo)通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程，在這段時(shí)間內(nèi)，MOS管的損失時(shí)電壓和電流的乘積，叫做開(kāi)關(guān)損失。

通常開(kāi)關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開(kāi)關(guān)頻率越快，損失也越大。