在虛擬現(xiàn)實(shí)動(dòng)作控制領(lǐng)域都有自己的研發(fā)成果，目前正在開發(fā)深度傳感技術(shù)，可提供無線定位追蹤，讓用戶可以自由移動(dòng)并使用手勢(shì)操作，系統(tǒng)會(huì)把數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化成虛擬環(huán)境中的可見行為。

鎳鎘電池可重復(fù)500次以上的充放電，經(jīng)濟(jì)耐用。其內(nèi)部抵制力小，既內(nèi)阻很小，可快速充電，又可為負(fù)載提供大電流，而且放電時(shí)電壓變化很小，是一種非常理想的直流供電電池。

與無引線DFN封裝的MOSFET相比，在整機(jī)設(shè)備的使用壽命內(nèi)碰到溫度循環(huán)情況時(shí)，PowerPAK SO-8L的鷗翼引線結(jié)構(gòu)能有效提高板級(jí)的可靠性。

SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)制造，在10V下的最大導(dǎo)通電阻只有0.52Ω，柵極電荷低至17nC，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積更低，該參數(shù)是評(píng)價(jià)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)。

在功率因數(shù)校正、反激、雙管正激轉(zhuǎn)換器，以及HID和LED照明、工業(yè)、電信、消費(fèi)和計(jì)算類應(yīng)用的電源適配器等硬開關(guān)拓?fù)渲�，這些參數(shù)意味著MOSFET能實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，有效節(jié)約能源。

SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E基于公司的E系列超結(jié)技術(shù)，具有低至0.52Ω（@10V）的最大導(dǎo)通電阻、低至17nC的超低柵極電荷和適于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)（FOM）。

這些數(shù)值會(huì)轉(zhuǎn)換成低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而為功率因數(shù)校正、反激式與雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器和面向HID與LED照明和工業(yè)、電信、消費(fèi)類與計(jì)算電源適配器的硬開關(guān)拓?fù)涔?jié)約能量。

通過信號(hào)線供電，無需額外電源,0-10V調(diào)光器后蓋上有清晰的接線標(biāo)識(shí)，接線方式,只需將調(diào)光旋鈕接在0-10v調(diào)光驅(qū)動(dòng)的信號(hào)端，無需外接額外電源。