17nC超低柵極電荷和適于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2023/7/27 18:57:20 訪問次數(shù):168
浪涌抑制器IC能夠保護(hù)負(fù)載免遭高壓瞬變的傷害,發(fā)生輸入過壓事件（例如汽車的負(fù)載突降）時(shí)，LTC7860會(huì)控制外部MOSFET的柵極，充當(dāng)開關(guān)DC/DC穩(wěn)壓器（保護(hù)PWM模式）。該操作能將輸出電壓調(diào)整到安全水平，讓負(fù)載順利度過輸入過壓事件。
定時(shí)器到期時(shí)，LTC7860在冷卻一段時(shí)間之后會(huì)重新啟動(dòng)，而在此之前外部MOSFET會(huì)一直保持關(guān)斷狀態(tài)。功率損耗較高時(shí)，通過嚴(yán)格限制處于保護(hù)PWM模式的時(shí)間，元件和熱設(shè)計(jì)可以針對(duì)正常操作進(jìn)行優(yōu)化，安全度過高壓輸入浪涌和/或過流故障。另外添加了PMOS，從而實(shí)現(xiàn)了電池反接保護(hù)。
應(yīng)用包括MIL1275軍用電源系統(tǒng)、ISO7637車輛系統(tǒng)和面向工業(yè)與電信設(shè)備的通用電源。
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E基于公司的E系列超結(jié)技術(shù)，具有低至0.52Ω（@10V）的最大導(dǎo)通電阻、低至17nC的超低柵極電荷和適于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)（FOM）。
MiniLED芯片的小型化很難做，因?yàn)橐粋�(gè)MiniLED背光模組幾乎會(huì)涉及幾千顆甚至幾萬顆的器件，如果其中有一顆壞點(diǎn)出現(xiàn)，在應(yīng)用的過程中就會(huì)導(dǎo)致死燈的情況，從而令整個(gè)產(chǎn)品都失效。
LED光源所使用的載波技術(shù)和燈具設(shè)計(jì)也是產(chǎn)生頻閃的重要因素。例如，如果將磷光體用作LED光源的轉(zhuǎn)換器材料，則該層材料具有電容效應(yīng)，會(huì)消除一小部分疊加交流。
由于個(gè)體的活動(dòng)類型以及對(duì)頻閃敏感度的不同，頻閃所產(chǎn)生的影響也不經(jīng)相同，或讓人感到反感，或讓人注意力不集中，亦或損害人的健康，即使亮度波動(dòng)超出感知閾值（間接感知）。在這里，余光常常起著重要的作用，因?yàn)樗顾械倪\(yùn)動(dòng)看起來更具強(qiáng)烈感，無論是頻閃或移動(dòng)體。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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定時(shí)器到期時(shí)，LTC7860在冷卻一段時(shí)間之后會(huì)重新啟動(dòng)，而在此之前外部MOSFET會(huì)一直保持關(guān)斷狀態(tài)。功率損耗較高時(shí)，通過嚴(yán)格限制處于保護(hù)PWM模式的時(shí)間，元件和熱設(shè)計(jì)可以針對(duì)正常操作進(jìn)行優(yōu)化，安全度過高壓輸入浪涌和/或過流故障。另外添加了PMOS，從而實(shí)現(xiàn)了電池反接保護(hù)。
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MiniLED芯片的小型化很難做，因?yàn)橐粋�(gè)MiniLED背光模組幾乎會(huì)涉及幾千顆甚至幾萬顆的器件，如果其中有一顆壞點(diǎn)出現(xiàn)，在應(yīng)用的過程中就會(huì)導(dǎo)致死燈的情況，從而令整個(gè)產(chǎn)品都失效。
LED光源所使用的載波技術(shù)和燈具設(shè)計(jì)也是產(chǎn)生頻閃的重要因素。例如，如果將磷光體用作LED光源的轉(zhuǎn)換器材料，則該層材料具有電容效應(yīng)，會(huì)消除一小部分疊加交流。
由于個(gè)體的活動(dòng)類型以及對(duì)頻閃敏感度的不同，頻閃所產(chǎn)生的影響也不經(jīng)相同，或讓人感到反感，或讓人注意力不集中，亦或損害人的健康，即使亮度波動(dòng)超出感知閾值（間接感知）。在這里，余光常常起著重要的作用，因?yàn)樗顾械倪\(yùn)動(dòng)看起來更具強(qiáng)烈感，無論是頻閃或移動(dòng)體。
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