在停止模式(stop mode)下的耗電僅為20nA，同時(shí)保持從I/O引腳喚醒的能力。

PSoC 4200系列擁有所有Cortex-M0器件中最寬的工作電壓范圍，能支持介于1.71V到5.5V之間的全部模擬和數(shù)字工作電壓。其靈活的模擬和數(shù)字資源使得這一系列產(chǎn)品成為當(dāng)今市場上可配置性最強(qiáng)的ARM Cortex-M0片上系統(tǒng)。

22納米制造技術(shù)，意味著該處理器的熱耗非常低。

1019Y處理器的推出對于新一代廉價(jià)版超級本的推出具有重要的促進(jìn)意義，其比目前最便宜的英特爾Y系列處理器還要便宜近一半的價(jià)格。019Y處理器是一款雙核處理器，主頻達(dá)到1GHz，此外該款處理器還整合了高清顯卡以及高端的“常春藤橋”處理器技術(shù)。

MWT是金屬穿孔卷繞硅太陽能電池技術(shù)的簡稱，這種技術(shù)主要是通過激光穿孔和灌孔印刷技術(shù)，將正面發(fā)射極的接觸電極穿過硅片基體引導(dǎo)至硅片背面。

由于電池正面沒有主柵線，電池受光面積增大從而有效的提高了電池的光電轉(zhuǎn)換效率。在組件端，電池片之間均通過背面接觸電極與基板連接，減少了焊接環(huán)節(jié)，這樣既降低了焊接碎片率又降低了焊接引起的電阻損耗，從而有效提高了組件輸出效率。

值得注意的是，其產(chǎn)品Logo揭露出AMD計(jì)劃在未來采用ARM架構(gòu)推出更低功耗的嵌入式處理器。

在DESIGN West大會上AMD發(fā)布新款G系列嵌入式系統(tǒng)單芯片，采用代號Jaguar架構(gòu)的四個CPU核心，整合Radeon 8000系列GPU核心，以及外圍I/O控制功能，強(qiáng)調(diào)效能較前代產(chǎn)品提升113%，并支持平行處理、高級繪圖功能。

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