CMOS攝像傳感芯片、音頻MEMS傳感器、A+G運(yùn)動(dòng)傳感器、生物識(shí)別傳感芯片在內(nèi)的多條產(chǎn)品線(xiàn)，極大地豐富了公司在低功耗無(wú)線(xiàn)智能平臺(tái)的傳感技術(shù)資源.

拓展了公司在可穿戴設(shè)備、虛擬現(xiàn)實(shí)、運(yùn)動(dòng)攝像等基于物聯(lián)網(wǎng)感知的應(yīng)用場(chǎng)景，實(shí)現(xiàn)主營(yíng)業(yè)務(wù)的快速增長(zhǎng)，鞏固公司在國(guó)內(nèi)無(wú)線(xiàn)射頻IC、傳感器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，符合公司的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展戰(zhàn)略。

硅振蕩器的電源電流取決于其類(lèi)型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時(shí)只需不到2mA的電流。

在特定的應(yīng)用場(chǎng)合優(yōu)化時(shí)鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。

小型化、薄片化和片式化：為滿(mǎn)足移動(dòng)電話(huà)為代表的便攜式產(chǎn)品輕、薄、短小的要求，石英晶體振蕩器的封裝由傳統(tǒng)的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝轉(zhuǎn)變。

例如TCXO這類(lèi)器件的體積縮小了30～100倍,比較后的輸出信號(hào)到達(dá)芯片的封鎖時(shí)間定時(shí)器和延遲時(shí)間定時(shí)器。

經(jīng)過(guò)兩級(jí)放大后的信號(hào)幅度為3.8v，隨后該信號(hào)進(jìn)入與門(mén)與來(lái)自9號(hào)引腳的信號(hào)相比較（由于9號(hào)引腳在試驗(yàn)中接入了大電阻，因此分得較大的電壓，所以9號(hào)引腳持續(xù)輸出高電平）。

實(shí)驗(yàn)?zāi)M設(shè)計(jì)了熱釋電傳感器報(bào)警器。傳感器采用的型號(hào)為re200b，并配上其專(zhuān)用的芯片biss0001進(jìn)行調(diào)試。

相鄰兩層間的走線(xiàn)必須遵循垂直走線(xiàn)的原則，否則會(huì)造成線(xiàn)間的串?dāng)_，增加EMI輻射。簡(jiǎn)而言之，相鄰的布線(xiàn)層遵循橫平豎垂的布線(xiàn)方向，垂直的布線(xiàn)可以抑制線(xiàn)間的串?dāng)_。

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