薄晶圓工藝最大限度降低功耗支持場(chǎng)效應(yīng)管設(shè)計(jì)提高系統(tǒng)效率和功率密度
發(fā)布時(shí)間:2023/7/31 19:48:32 訪問次數(shù):66
N59鐵氧體磁材,其具有高頻低損耗的特性。該磁材專門為電源及變頻器(配備基于GaN的快速切換功率半導(dǎo)體)應(yīng)用而開發(fā),優(yōu)化后的頻率范圍為700kHz至2MHz。在切換頻率為2MHz,工作溫度為100°C時(shí), 可達(dá)到最大傳輸功率.。鐵氧體磁材的最大居里溫度為280°C。
N59鐵氧體磁材尤其適用于磁環(huán)或平版變壓器。其卓越的性能, 為今后設(shè)計(jì)電源小型化, 提供了非常好的解決方案。
同時(shí),由于鐵氧體磁材的低損耗特性,其效率也大大提升,這正是使用N59可顯著節(jié)能的原因。

300毫米薄晶圓工藝,是新一代汽車功率場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品系列實(shí)現(xiàn)性能提升的一個(gè)重要基礎(chǔ)。薄晶圓工藝可以最大限度降低功耗,并支持緊湊的場(chǎng)效應(yīng)管設(shè)計(jì),以提高系統(tǒng)效率和功率密度。
由于晶圓減薄至60微米(0.06毫米),因而采用300毫米薄晶圓工藝的OptiMOS 5功率半導(dǎo)體躋身全球最薄之列。這種薄晶圓的厚度甚至小于一張標(biāo)準(zhǔn)的書寫用紙——厚約110微米(0.11毫米)。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器通過工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SPI接口可直接連接主微控制器,方便電機(jī)驅(qū)動(dòng)器編程、電流檢測(cè)管理以及無傳感器失速檢測(cè)。
因?yàn)橹恍钄?shù)量最少的外部元器件,與使用分立控制芯片和功率級(jí)的設(shè)計(jì)相比,powerSTEP可節(jié)省50%的印刷電路板空間。憑借全面的內(nèi)部保護(hù)功能,powerSTEP可被視為一個(gè)極其穩(wěn)健、可靠的解決方案。
與一般的搭載Si-MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器相比,功率轉(zhuǎn)換效率最大可提高6%,可減少散熱用零部件等,從而可大幅節(jié)省電力并實(shí)現(xiàn)顯著的小型化(50W電源時(shí))。
本產(chǎn)品具備豐富的保護(hù)功能,不僅可在一般工業(yè)設(shè)備使用的AC400V條件下工作,還可在更能發(fā)揮SiC-MOSFET特性的AC690V高電壓條件下運(yùn)行,有助于提高所有工業(yè)設(shè)備的可靠性。
N59鐵氧體磁材,其具有高頻低損耗的特性。該磁材專門為電源及變頻器(配備基于GaN的快速切換功率半導(dǎo)體)應(yīng)用而開發(fā),優(yōu)化后的頻率范圍為700kHz至2MHz。在切換頻率為2MHz,工作溫度為100°C時(shí), 可達(dá)到最大傳輸功率.。鐵氧體磁材的最大居里溫度為280°C。
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同時(shí),由于鐵氧體磁材的低損耗特性,其效率也大大提升,這正是使用N59可顯著節(jié)能的原因。

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由于晶圓減薄至60微米(0.06毫米),因而采用300毫米薄晶圓工藝的OptiMOS 5功率半導(dǎo)體躋身全球最薄之列。這種薄晶圓的厚度甚至小于一張標(biāo)準(zhǔn)的書寫用紙——厚約110微米(0.11毫米)。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器通過工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SPI接口可直接連接主微控制器,方便電機(jī)驅(qū)動(dòng)器編程、電流檢測(cè)管理以及無傳感器失速檢測(cè)。
因?yàn)橹恍钄?shù)量最少的外部元器件,與使用分立控制芯片和功率級(jí)的設(shè)計(jì)相比,powerSTEP可節(jié)省50%的印刷電路板空間。憑借全面的內(nèi)部保護(hù)功能,powerSTEP可被視為一個(gè)極其穩(wěn)健、可靠的解決方案。
與一般的搭載Si-MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器相比,功率轉(zhuǎn)換效率最大可提高6%,可減少散熱用零部件等,從而可大幅節(jié)省電力并實(shí)現(xiàn)顯著的小型化(50W電源時(shí))。
本產(chǎn)品具備豐富的保護(hù)功能,不僅可在一般工業(yè)設(shè)備使用的AC400V條件下工作,還可在更能發(fā)揮SiC-MOSFET特性的AC690V高電壓條件下運(yùn)行,有助于提高所有工業(yè)設(shè)備的可靠性。
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